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VBJ1311

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,9.2A,RDS(ON),12.1mΩ@10V,14.52mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: VBJ1311 SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBJ1311

VBJ1311概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为高边同步整流操作而优化。其独特的技术设计使其广泛应用于笔记本电脑CPU核心供电系统及其他需要高效转换和开关操作的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是一些关键的技术参数,涵盖了产品的基本电气特性和性能指标:
    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 源极-漏极电流 \(ID\):
    - \(TJ = 150^\circ C\) 时,连续值: 13 A
    - \(TA = 25^\circ C\) 时,连续值: 9 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 20 A
    - 最大功率耗散 \(PD\):
    - \(TC = 25^\circ C\) 时: 4.1 W
    - \(TA = 25^\circ C\) 时: 2.2 W
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 漏极-源极导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\) 时: 0.008 Ω
    - \(V{GS} = 4.5 V\) 时: 0.011 Ω
    - 零栅极电压漏极电流 \(I{DSS}\): 1 μA
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 0.8 V ~ 2.5 V
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 800 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 165 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 73 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\):
    - \(V{GS} = 10 V\) 时: 15 nC
    - \(V{GS} = 5 V\) 时: 6.8 nC

    3. 产品特点和优势


    这款N-Channel 30-V MOSFET具有以下显著特点和优势:
    - 卤素无添加:符合RoHS和无卤素标准,适用于环保要求较高的场合。
    - 沟槽FET工艺:提供高效的开关性能和低损耗。
    - 优化的高边同步整流:适合于高效率的电源转换应用。
    - 100% Rg测试:确保产品的一致性和可靠性。
    - 100% UIS测试:提高产品在极端条件下的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:这款MOSFET特别适用于笔记本电脑CPU核心供电系统的高边开关。由于其低导通电阻和快速响应时间,能够显著提高电路的整体效率。
    - 使用建议:在选择散热材料和PCB布局时需注意热管理,以防止过高的温度导致性能下降。建议使用大面积铜箔和良好的热传导材料来提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与多种主流的电源管理IC和控制器兼容,确保了广泛的适用范围。
    - 支持和服务:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、样品请求和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 电路过热
    - 解决方案: 增加散热片面积,改善通风,或者使用更高效的散热材料。

    - 问题2: 开关速度慢
    - 解决方案: 减小栅极电阻,优化电路布局以减少寄生电容的影响。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高效率、高可靠性的电源管理组件。它在笔记本电脑和其他需要高效电源转换的领域表现优异。对于需要高性能开关和稳定的电力传输的应用场景,这款产品是理想的选择。总体来说,我强烈推荐此产品给需要此类电子元器件的工程师和设计师。

VBJ1311参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12.1mΩ@10V,14.52mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 9.2A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBJ1311厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBJ1311数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBJ1311 VBJ1311数据手册

VBJ1311封装设计

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