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60N08L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: 60N08L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 60N08L-TA3-T-VB

60N08L-TA3-T-VB概述


    产品简介


    60N08L-TA3-T-VB N-Channel 80V MOSFET
    60N08L-TA3-T-VB是一款由VBsemi推出的N沟道80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®技术。该产品具备出色的功率处理能力和高可靠性,适用于多种工业和消费类电子产品中的开关和整流应用。此款MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on))和良好的热性能,使其在各种应用环境中都能表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏电流(TJ = 150 °C) | ID | - | 28.6 | - | A |
    | 冲击漏电流(t = 100 μs) | IDM | - | 350 | - | A |
    | 源极-漏极雪崩电流 | IS | - | 30 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 45 | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | 180 | - | W |
    | 工作结温范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    60N08L-TA3-T-VB的主要特点是采用先进的TrenchFET®技术,使得产品具有非常低的导通电阻和较高的电流处理能力。具体优势如下:
    - 低导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时,RDS(on)为7mΩ,在VGS = 4.5V时为9mΩ。这种低电阻特性大大减少了功率损耗,提高了能效。
    - 高可靠性:该产品通过100% Rg和UIS测试,确保了高可靠性和耐用性。
    - 快速开关特性:得益于其低电容特性,这款MOSFET可以在高速开关应用中表现出色,如同步整流和DC/AC逆变器。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LED背光照明:作为LED背光源中的开关,可以有效地控制电流并减少功耗。
    - 同步整流:在直流转换器中使用时,可提高系统的整体效率。
    - 主侧开关:用于初级侧开关的应用中,能够有效管理高电压和高电流环境。
    使用建议:
    - 散热管理:考虑到该产品的工作温度范围较大(-55°C至150°C),在设计电路板时需要确保良好的散热管理,以避免因过热而导致性能下降。
    - 保护电路:由于该MOSFET的耐压能力较强,因此在设计保护电路时需考虑如何防止瞬态电压对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET与大多数标准表面贴装工艺兼容,适用于FR4板材。厂商提供详细的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用产品。此外,厂商还提供了详细的封装尺寸信息和焊接推荐参数,便于用户进行焊接和安装。

    常见问题与解决方案


    1. 问:长时间运行后温度过高怎么办?
    - 答:确保适当的散热措施,如增加散热片或使用热界面材料,降低热阻。
    2. 问:开启延迟时间过长怎么处理?
    - 答:调整栅极电阻(Rg),减小栅极充电时间,从而加快开启速度。
    3. 问:出现漏电流较大的情况如何应对?
    - 答:检查电路设计是否存在问题,确保所有连接正确且稳定,同时确认是否有额外寄生电容的影响。

    总结和推荐


    60N08L-TA3-T-VB是一款高性能的N沟道80V MOSFET,具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,非常适合在多种高要求的应用环境中使用。尽管存在一些限制,如峰值焊接温度不超过260°C,但它总体上是一款值得推荐的产品,特别适合用于需要高效能和良好散热管理的应用场合。

60N08L-TA3-T-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

60N08L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

60N08L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 60N08L-TA3-T-VB 60N08L-TA3-T-VB数据手册

60N08L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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