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K3147S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K3147S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3147S-VB

K3147S-VB概述

    N-Channel 100 V MOSFET K3147S 技术手册

    1. 产品简介


    K3147S 是一款N沟道100V(D-S)的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高可靠性及宽温度范围设计。该产品采用先进的TrenchFET®技术,能够在高达175°C的结温条件下稳定工作。K3147S 具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,适合用于电源管理和电机驱动等多种应用领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):100 V
    - RDS(on)(导通电阻):0.140Ω @ VGS = 10 V, ID = 3 A, TJ = 175 °C
    - ID(连续漏极电流):13 A @ TC = 125 °C
    - IDM(脉冲漏极电流):40 A
    - IS(连续源电流):3 A
    - IAS(单脉冲雪崩电流):3 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):18 mJ
    - 最大功率耗散:96 W @ TC = 25 °C
    - 极限参数
    - 驱动电压范围:VGS = ± 20 V
    - 操作温度范围:TJ, Tstg = - 55°C 到 175°C
    - 热阻率:RthJA ≤ 18°C/W @ t ≤ 10 s
    - 电气特性
    - 输入电容:Ciss ≥ 950 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, F = 1 MHz
    - 输出电容:Coss ≤ 120 pF
    - 反向传输电容:Crss ≤ 60 pF
    - 总栅极电荷:Qg ≤ 41 nC
    - 门极电阻:Rg ≤ 2.9 Ω

    3. 产品特点和优势


    K3147S 采用了先进的 TrenchFET® 技术,能够在高结温条件下提供稳定的性能。其超低导通电阻和快速开关特性使其成为高性能应用的理想选择。此外,其高可靠性和 RoHS 合规性使其适用于多种工业和消费电子领域。100% Rg 测试进一步确保了其产品的质量和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    K3147S 在主侧开关(Primary Side Switch)的应用中表现优异。例如,在高频电源转换器中,其低导通电阻可以显著降低功耗,提高能效。建议在使用过程中,注意热管理以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    K3147S 与现有的电路板布局高度兼容,安装方式简单,可以直接安装在标准1" x 1"的FR4电路板上。厂商提供了详细的技术支持和保修服务,确保用户能够获得及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻偏高
    - 解决方案:检查栅极电压是否足够高,确保栅极驱动信号符合要求。

    - 问题2:发热严重
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或使用外部风扇进行强制风冷。
    - 问题3:栅极泄漏
    - 解决方案:检查焊接质量,确保焊接无虚焊现象。

    7. 总结和推荐


    K3147S 以其高性能、高可靠性以及广泛的工作温度范围,成为众多应用场合下的理想选择。特别是在需要高效率和高稳定性的场合下,其表现尤为出色。因此,强烈推荐使用这款MOSFET,以提升整体系统的性能和可靠性。

K3147S-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3147S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3147S-VB数据手册

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K3147S-VB封装设计

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