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K3879-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3879-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3879-VB

K3879-VB概述

    # K3879-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3879-VB 是一款高性能的N-通道800V超级结(Super Junction)功率MOSFET,由VBsemi公司生产。该器件以其快速开关速度、高动态耐受能力、简单驱动要求以及重复雪崩耐久性而闻名,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、工业控制及汽车电子等领域。其卓越的性能和可靠性使其成为现代电力电子系统设计的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 800 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 栅总电荷 | Qg | - | 200 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 19 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 120 | - | ns |
    | 峰值反向恢复电压变化率 | dV/dt | - | 2.0 | - | V/ns |
    | 最大雪崩能量(重复) | EAR | - | 19 | - | mJ |
    热阻参数
    - 最大结到壳热阻(RthJC):0.65°C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):40°C/W
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 快速开关:低开关损耗和快速响应能力,特别适合高频应用。
    2. 动态dV/dt耐受能力:在高速开关场景中具有优异的抗噪性能。
    3. 重复雪崩耐久性:可在恶劣环境下长期稳定运行。
    4. 易于并联:通过优化内部设计实现多个器件的轻松并联。
    5. 简单的驱动需求:降低外围电路复杂度,节省设计成本。
    6. 符合RoHS标准:绿色环保,适用于国际合规要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:作为同步整流器用于高效能AC-DC转换器。
    - 电机驱动:适用于工业电机控制器以提升效率和动态性能。
    - DC-DC转换器:优化负载调节和纹波抑制。
    - 车载充电器:在高压输入场景下提供可靠保护。
    使用建议
    - 在使用时注意布局设计,减少寄生电感和杂散电容。
    - 结合热管理措施(如散热片或风扇),避免过热损坏。
    - 推荐栅极驱动器采用电平偏移设计,确保足够的栅极电压裕量。

    兼容性和支持


    K3879-VB 可与主流驱动芯片和控制器兼容,包括TI、ON Semiconductor等品牌的产品。VBsemi 提供完善的售后服务和技术支持,包括免费样品申请、设计咨询及定期技术培训。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件温度过高 | 改善散热条件,使用更大尺寸散热片。 |
    | 开关损耗增加 | 优化驱动电路,减少开关过渡时间。 |
    | 栅极波形异常 | 检查外部电路连接,确保阻抗匹配。 |

    总结和推荐


    K3879-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 是一款性能卓越、稳定性强的电子元器件,非常适合需要高性能、高可靠性电源管理和电力转换的应用场景。其快速开关速度、简单驱动要求和广泛的适用性使其在市场上具备极高的竞争力。我们强烈推荐此产品作为高效电力电子系统的首选解决方案。
    服务热线:400-655-8788 | 官网:www.VBsemi.com

K3879-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3879-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3879-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3879-VB K3879-VB数据手册

K3879-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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