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2SK3365-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 2SK3365-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3365-Z-E1-AZ-VB

2SK3365-Z-E1-AZ-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款适用于服务器、直流转换等应用的场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET)。该产品属于沟槽式功率 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压能力等特点。此 MOSFET 型号为 2SK3365-Z-E1-AZ,适用于多种电力电子应用场景,如 OR-ing 和服务器电源管理等。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 最大连续漏电流 \( ID \)(\( TJ = 175°C \)):1A
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 200A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 94.8mJ
    - 最大稳态功耗 \( PD \): 100W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.5~2.0V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA(@ \( V{DS} = 30V \))
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 220pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 525pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 370pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 25~45nC(@ \( V{GS} = 4.5V \))
    - 热阻抗
    - 最大结到壳体热阻 \( R{thJC} \): 0.5~0.6℃/W
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 32~40℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:采用 TrenchFET® 技术,实现了低导通电阻(\( R{DS(on)} \) ≤ 0.007Ω @ 10V),确保高效的电力转换。
    - 可靠性高:100% Rg 和 UIS 测试确保产品的长期可靠运行。
    - 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU。
    - 广泛的适用性:支持各种电力系统,适用于 OR-ing、服务器等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:常用于服务器电源管理,通过 OR-ing 确保电源系统的可靠性。
    - 使用建议:
    - 确保漏源电压 \( V{DS} \) 不超过额定值,以避免击穿风险。
    - 使用时需注意散热问题,合理布局 PCB 布线,确保良好的热管理。
    - 考虑并行和串联使用多个 MOSFET 以满足更高的电流需求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用 TO-252 封装,易于集成于现有电路板设计中。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,可通过电话(400-655-8788)或官方网站(www.VBsemi.com)获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免过高的漏电流导致的器件损坏?
    - 解决方案:确保使用时 \( V{GS} \) 不低于阈值电压,且在电路设计中增加限流保护措施。
    - 问题:如何优化热管理?
    - 解决方案:使用适当的散热器,并合理布置 PCB,确保 MOSFET 处于良好的工作温度范围内。

    7. 总结和推荐


    2SK3365-Z-E1-AZ N-Channel 30-V MOSFET 是一款性能优异、应用广泛的产品。它不仅具有出色的电气特性,还具备环保合规性,适用于多种工业电力控制场景。我们强烈推荐使用此款 MOSFET,尤其是在对高可靠性有严格要求的应用中。

2SK3365-Z-E1-AZ-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3365-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3365-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3365-Z-E1-AZ-VB 2SK3365-Z-E1-AZ-VB数据手册

2SK3365-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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