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K2757-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K2757-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2757-01-VB

K2757-01-VB概述


    产品简介


    本手册描述的是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K2757-01-VB。该器件采用TO-220AB封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统及其它功率控制领域。其设计重点在于降低门极电荷(Qg)和提升击穿电压(VDS),从而确保更好的驱动要求和更高的可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | 500 V |
    | 门源电压 | ±20 V |
    | 持续漏电流 | 13 8.1 | A |
    | 脉冲漏电流 | 50 A |
    | 功耗 | 250 W |
    | 击穿电压温度系数 -0.55 V/°C |
    | 门源阈值电压 | 2.0 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 25 | μA |
    | 导通电阻 0.660 Ω |
    | 输入电容(Ciss) 1910 pF |
    | 输出电容(Coss) 290 pF |
    | 反向转移电容(Crss) 11 pF |
    | 总栅电荷(Qg) 81 nC |
    | 门源电荷(Qgs) 20 nC |
    | 门极击穿电荷(Qgd) 36 nC |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):门极电荷显著降低,简化了驱动要求。
    - 改进的坚固性:具备增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐久性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压:确保可靠的操作。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:K2757-01-VB被广泛用于开关电源中,例如AC-DC适配器,可以有效提高电源效率。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,K2757-01-VB可以实现精确控制,提供更平稳的运行效果。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,请确保散热良好,避免热累积。
    - 在高频开关操作下,尽量减少引线长度以减少杂散电感。

    兼容性和支持


    - K2757-01-VB可以与标准的TO-220AB插座兼容。
    - 厂商提供了详尽的技术支持文档,确保用户能顺利进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间使用后出现过热现象。
    - 解决方法:检查散热片安装是否正确,确保通风良好。

    2. 问题:设备无法正常关断。
    - 解决方法:检查驱动电路,确保门极信号足够高以使器件完全关闭。

    总结和推荐


    总体而言,K2757-01-VB N沟道MOSFET凭借其卓越的性能、可靠的稳定性和广泛的适用性,在市场上具备很高的竞争力。对于需要高效能和可靠性的应用场合,如开关电源和电机驱动,这款产品是一个非常理想的选择。强烈推荐使用此款MOSFET。

K2757-01-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 13A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2757-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2757-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2757-01-VB K2757-01-VB数据手册

K2757-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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