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WTC2307-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: WTC2307-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WTC2307-VB

WTC2307-VB概述

    # P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本描述
    P-Channel 20-V MOSFET(型号为WTC2307)是一款高性能的功率场效应晶体管,主要应用于负载开关、PA开关及直流-直流转换器等领域。其独特的设计使其能够在各种电子设备中提供可靠的电源管理解决方案。
    主要功能
    - 高效率功率转换
    - 支持负载开关和PA开关应用
    - 低导通电阻(RDS(on)),确保低功耗运行
    - 高温操作稳定性
    应用领域
    - 负载开关
    - PA开关
    - 直流-直流转换器

    技术参数


    电气特性
    - 漏源电压(VDS):-20V
    - 门限电压(VGS(th)):-0.5V ~ -1.5V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):-0.5V ~ -1.5V
    - 最大连续漏极电流(ID):-4.5A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):-18A
    - 门极-源极泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 体二极管反向恢复时间(trr):23~35ns
    性能参数
    - 导通电阻(RDS(on)):0.035Ω(VGS=-10V, ID=-5.1A)
    - 零门电压漏极电流(IDSS):-1μA(VDS=-20V, VGS=0V)
    - 输出电容(Coss):180pF
    - 反转转移电容(Crss):155pF
    - 总栅极电荷(Qg):10nC(VDS=-10V, VGS=-4.5V, ID=-5.1A)
    工作环境
    - 结温(TJ):-55°C ~ +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
    - 热阻(RthJA):75°C/W(最大值)
    - 最大单脉冲耗散功率(PD):2.5W(TC=25°C)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 零卤素材料:符合IEC 61249-2-21定义,对环境友好。
    - 沟槽MOSFET技术:提高器件性能,降低损耗。
    - 100% Rg测试:确保产品质量一致性。
    - RoHS合规:满足欧洲环保要求。
    市场竞争力
    - 低导通电阻:显著降低能耗,适用于高效率应用。
    - 高温稳定性:可在极端环境下可靠运行,适应多种工业环境。
    - 快速响应:低漏电,高耐压,确保稳定可靠的开关性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于控制系统中的负载切换,如电机控制。
    - PA开关:在无线通信系统中实现高效功率放大。
    - 直流-直流转换器:用于各种电源管理系统中,如笔记本电脑、手机充电器。
    使用建议
    - 在选择MOSFET时,应考虑其工作电压、电流和温度范围,以确保最佳性能。
    - 尽量避免过高的瞬态电压和电流冲击,以免损坏器件。
    - 注意散热管理,特别是对于高功率应用,以保持稳定的运行温度。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品采用SOT-23封装,广泛适用于各种PCB设计。
    - 与市场上大多数标准SOT-23封装设备兼容。
    支持
    - 提供详尽的技术文档和支持资源,确保用户能够顺利集成到系统中。
    - 客户可联系厂商获得进一步的技术咨询和服务支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的栅极电阻(Rg)?
    - 确保Rg在制造商建议的范围内,通常为0.9~4.4Ω。

    2. 如何处理过高的栅极电压?
    - 使用适当的电压保护电路,如TVS二极管,防止电压超过VGS的最大值。
    3. 在高温环境下如何保持性能稳定?
    - 采用良好的散热措施,如加装散热片或热管,确保器件不会超过最高结温限制。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 20-V MOSFET WTC2307 是一款高性能的功率MOSFET,具备出色的电气性能和稳定性,特别适合在恶劣环境下的应用。其独特的设计和卓越的性能使其成为负载开关、PA开关及直流-直流转换器的理想选择。
    推荐结论
    鉴于其在多种应用场景中的表现,我们强烈推荐这款产品给需要高效、可靠电源管理解决方案的设计工程师们。

WTC2307-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WTC2307-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WTC2307-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WTC2307-VB WTC2307-VB数据手册

WTC2307-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
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500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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