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E2P102L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: E2P102L-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) E2P102L-VB

E2P102L-VB概述


    产品简介


    产品类型与主要功能:
    本产品是一款Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(双P沟道30伏特功率金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高可靠性、低导通电阻等特点。其广泛应用于负载开关等领域,能够有效控制电流流动。
    应用领域:
    - 负载开关
    - 电源管理
    - 电机控制

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):
    - TC = 25°C 下:-7.3A
    - TC = 70°C 下:-7.0A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-32A
    - 连续源极-漏极二极管电流(IS):
    - TC = 25°C 下:-4.1A
    - TA = 25°C 下:-2.0A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):20mJ
    - 最大耗散功率:
    - TC = 25°C 下:5.0W
    - TC = 70°C 下:3.2W
    - 工作结温范围(TJ, Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 无卤素:采用无卤材料制造,更环保。
    - 高性能TrenchFET®技术:显著降低导通电阻(RDS(on)),提升效率。
    - 100% UIS测试:确保每个产品都通过雪崩耐受性测试,提供高可靠性。
    - 低门电荷(Qg):快速开关,减少能耗。
    - 宽温度范围适应性:在极端条件下仍能保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    这款MOSFET可以用于负载开关设计,如直流-直流转换器中的开关部分,或作为电机控制器的保护元件。例如,在直流-直流转换器中,它能够有效地控制输出电流,实现高效的电源管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,注意散热问题,以避免过热损坏。
    - 在选择驱动电路时,建议选择合适的栅极电阻,以优化开关速度和减少能耗。
    - 在进行布线设计时,要充分考虑EMC(电磁兼容性)要求,避免电磁干扰。

    兼容性和支持


    该MOSFET符合行业标准,与多种电子元器件和设备兼容。制造商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高电流下,MOSFET的温度会升高,如何有效散热?
    解决方案:使用适当的散热器和散热片,确保良好的热传导,同时可以利用空气对流帮助散热。
    问题2:如何确保开关速度快且开关损耗小?
    解决方案:合理选择驱动电路参数,如栅极电阻值,以保证快速开关的同时减少开关损耗。
    问题3:在极端条件下,MOSFET可能出现过电压击穿问题,应如何预防?
    解决方案:在电路设计中加入过电压保护措施,如瞬态电压抑制器(TVS),以吸收可能产生的瞬态电压。

    总结和推荐


    综合评估:
    这款Dual P-Channel 30-V MOSFET以其卓越的性能和高可靠性在市场上表现出色。其独特的TrenchFET技术不仅提高了效率,还增强了耐用性。无论是在严苛的工作环境中还是在常规的应用场合,它都能展现出色的表现。
    推荐:
    鉴于其高效能和广泛应用性,强烈推荐在需要高可靠性的电子系统中使用这款MOSFET。对于设计者而言,这是一款值得信赖的选择。

E2P102L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

E2P102L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

E2P102L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 E2P102L-VB E2P102L-VB数据手册

E2P102L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
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