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UT6402L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: UT6402L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT6402L-AE3-R-VB

UT6402L-AE3-R-VB概述

    UT6402L-AE3-R N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT6402L-AE3-R 是一款N沟道MOSFET,适用于多种电力转换应用。
    - 类型: N沟道MOSFET
    - 主要功能: 用于电源管理、开关控制和直流/直流转换器
    - 应用领域: DC/DC转换器、开关电源、逆变器等

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 30 V |
    | 漏源电流(ID) | 6.5 A (TC = 25°C) |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 0.7 V 至 2.0 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.030 Ω (VGS = 10 V, ID = 3.2 A)
    0.033 Ω (VGS = 4.5 V, ID = 2.8 A) |
    | 总栅极电荷(Qg) | 4.5 nC (VGS = 10 V)
    2.1 nC (VGS = 4.5 V) |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg)| -55 °C 至 150 °C |
    | 最大功率耗散(PD) | 1.7 W (TC = 25°C) |

    3. 产品特点和优势


    UT6402L-AE3-R 的特点和优势如下:
    - 低导通电阻(RDS(on)): 0.030 Ω @ 10 V VGS 和 0.033 Ω @ 4.5 V VGS,使得在高电流条件下具有更低的功耗。
    - 高可靠性: 100% RG 测试,确保在高温和高电压下的稳定性能。
    - 绿色环保: 符合RoHS标准和无卤素要求,适用于环保应用。
    - 快速开关特性: 优秀的动态特性,适合高频开关应用。
    - 高可靠性的封装: TO-236 (SOT-23) 封装,体积小巧且易于安装。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器: 在高效能DC/DC转换器中,UT6402L-AE3-R 可以显著降低能耗并提高效率。
    - 电池管理系统: 用于平衡不同电池组之间的电压和电流。
    使用建议:
    - 优化电路设计: 使用UT6402L-AE3-R时,应注意合理分配栅极驱动电压和电流,避免过高的栅极损耗。
    - 散热设计: 在高功率应用场景中,确保良好的散热设计以防止热失控。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 集成化设计: UT6402L-AE3-R 可与其他常用电子元器件和设备良好兼容,如滤波器、稳压器等。
    支持:
    - 客户服务: 提供专业的技术支持和服务,解答客户的疑问和提供解决方案。
    - 售后保障: 确保产品质量,提供长期的产品支持和维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热现象 | 确保良好的散热措施,如增加散热片或使用热管。 |
    | 开关速度较慢 | 调整栅极驱动电路,优化栅极电阻值,减少驱动延迟时间。 |
    | 导通电阻增加 | 检查是否有接触不良或焊接不牢固的情况,重新焊接或更换损坏部件。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 低导通电阻和高可靠性的结合,使得UT6402L-AE3-R在多种电力转换应用中表现出色。
    - 绿色环保的设计符合当前市场趋势,适用于各类现代电子产品。
    - 快速响应和高频率工作的能力,使其成为高频开关应用的理想选择。
    推荐:
    - 强烈推荐: 对于需要高性能、高可靠性的电力转换应用,UT6402L-AE3-R 是一个理想的选择。
    通过上述内容可以看出,UT6402L-AE3-R 不仅具有出色的性能指标,还具备广泛的适用性和可靠性,非常值得在各种电力转换应用中采用。

UT6402L-AE3-R-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT6402L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT6402L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT6402L-AE3-R-VB UT6402L-AE3-R-VB数据手册

UT6402L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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