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K2469-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K2469-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2469-01MR-VB

K2469-01MR-VB概述

    K2469-01MR-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2469-01MR-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V(D-S)功率 MOSFET,由台湾 VBsemi 电子公司生产。它具备卓越的低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),是现代高效能电源管理和开关应用的理想选择。该产品广泛应用于多种行业,包括服务器与电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(如高强度放电灯 HID 和荧光灯照明)及工业设备等。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻(RDS(on))@25℃ | <2.5 Ω | Ω |
    | 最大连续漏电流(ID) | 12 @ TC=25℃ | A |
    | 最大脉冲漏电流(IDM) | 45 | A |
    | 输入电容(Ciss) | 43 | nF |
    | 输出电容(Coss) | 22 | nF |
    | 反向传输电容(Crss) | 5 | nF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 43 | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | 5 | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 22 | nC |
    产品特点与优势
    1. 低损耗设计:通过优化的 Ron x Qg 指标,降低了开关和导通过程中的能量损失。
    2. 快速响应:超低栅极电荷(Qg)有助于加快开关速度,减少延迟时间。
    3. 高可靠性:重复浪涌测试保证了产品的高可靠性,适合恶劣的工作环境。
    4. 适用性强:适用于多种高压、高频电路,在电源管理、LED驱动等领域具有广阔的应用前景。
    应用案例与使用建议
    1. 服务器与电信电源:作为高效率电源转换的关键组件,可用于 DC-DC 转换器,提升电源系统效率。
    2. 工业控制:可直接用于电机控制逆变器,降低发热并延长设备寿命。
    3. 照明设备:结合 LED 驱动电路,有效改善照明系统的功耗与效率表现。
    使用建议:在高频率应用场景下,为减少寄生效应,需注意电路板布线的布局优化,尤其是栅极驱动线路的接地设计。同时,建议配合高速栅极驱动芯片以充分利用器件性能。

    兼容性和支持


    K2469-01MR-VB 采用标准 TO-220FULLPAK 封装,便于与现有电路板集成,与主流的焊接工艺兼容。此外,VBsemi 提供全面的技术支持,包括专业工程师指导及详尽的设计资料下载。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    解决方法:检查散热设计,增加外部散热片或风扇辅助散热。
    2. 问题:开关噪声较大
    解决方法:优化 PCB 设计,缩短引脚路径长度,同时添加去耦电容以滤波。
    总结与推荐
    K2469-01MR-VB 功率 MOSFET 在性能、可靠性和成本效益方面表现出色,是一款非常适合现代电子系统设计的产品。其优异的热阻特性和低损耗特性使其成为电源管理、工业自动化和照明领域的首选。因此,强烈推荐给需要高效、高可靠性电源解决方案的用户。
    联系方式:400-655-8788
    官网:www.VBsemi.com

K2469-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2469-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2469-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2469-01MR-VB K2469-01MR-VB数据手册

K2469-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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