处理中...

首页  >  产品百科  >  TJ30S06M3L-VB

TJ30S06M3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: TJ30S06M3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TJ30S06M3L-VB

TJ30S06M3L-VB概述


    产品简介


    P-Channel 60V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,属于沟槽式场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)。该产品主要用于负载开关应用,如电源管理、电机驱动等场合。其关键特点是能够在高电压环境下稳定运行,并且具有较低的导通电阻,适合多种电路设计需求。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 漏源电压额定值(VDS):-60V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):-1V(VDS=-60V)
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(ID):-50A
    - 单脉冲峰值漏极电流(IDM):-160A
    - 阻抗参数:
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):
    - VGS=-10V时:0.02Ω
    - VGS=-4.5V时:0.025Ω
    - 热参数:
    - 最大功率耗散(PD):113W(TC=25°C),2.5W(TA=25°C)
    - 热阻(RthJA):15°C/W(瞬态),18°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:较低的RDS(on),使得功耗更小,效率更高。
    - 高电压耐受性:能够承受高达60V的电压,适用于高压应用。
    - 可靠性:在高温和低温环境中均能稳定工作,最大操作温度范围为-55°C到150°C。
    - 安全性:具有高热稳定性,有效避免因过热导致的损坏风险。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于负载开关,特别是在高电流和高压的应用场景中。例如,在电动汽车充电系统中作为保护开关。
    - 使用建议:确保散热良好,避免长期工作在高温环境下,以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TO-252封装,易于集成到现有电路板设计中。
    - 支持信息:供应商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、应用指南和故障排查等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断该MOSFET是否正常工作?
    - 解决方案:可以通过测量其漏源电压(VDS)和漏极电流(ID)来判断。如果在规定的电压范围内,电流读数符合预期,则表明其正常工作。

    - 问题2:如何防止过热损坏?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用适当的散热器和通风装置,定期监测工作温度。

    总结和推荐


    P-Channel 60V (D-S) MOSFET 凭借其优秀的电气性能、可靠的稳定性以及广泛的适用范围,是一款值得推荐的产品。它不仅能满足负载开关的基本需求,还能在高压和高温条件下保持高效运行。通过良好的散热管理和合适的应用设计,可以充分发挥其性能优势。因此,对于需要高性能负载开关的电路设计者来说,这款产品是一个理想的选择。

TJ30S06M3L-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,25mΩ@4.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TJ30S06M3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TJ30S06M3L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TJ30S06M3L-VB TJ30S06M3L-VB数据手册

TJ30S06M3L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
2500+ ¥ 2.5333
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504