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K1697-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K1697-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1697-VB

K1697-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了一款高性能的N-通道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为N-Channel MOSFET。该产品具有无卤素、低栅极电荷等特点,适用于便携式设备中的负载开关应用。N-Channel MOSFET 以其出色的性能和可靠性,在电源管理、电机控制和驱动电路等广泛应用中表现出色。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 0 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏电流(TJ = 150°C) | ID 29 | nC |
    | 栅漏电容 | Ciss 120 pF |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) 0.076 Ω |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS 1 | μA |
    | 最大功率耗散 | PD 4 | W |
    | 结温范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    其他关键参数还包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、零栅电压漏电流(IDSS)、最大功率耗散(PD)以及最高结温(TJ, Tstg)等。

    产品特点和优势


    这款N-Channel MOSFET 的主要特点是:
    - 采用先进的TrenchFET®工艺技术,降低了导通电阻(RDS(on))。
    - 环保材料,符合RoHS标准,无卤素。
    - 极低的栅极电荷(Qg),有助于提高效率和降低热损耗。
    - 良好的动态特性,使得它在高频开关应用中表现出色。
    - 广泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
    这些特点使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择,具备较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. 便携式设备负载开关:由于其低功耗和高效率特性,适合用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的负载开关。
    2. 电机控制:在小型电动工具和家电中作为电机控制器件,能够有效提升系统效率和响应速度。
    3. 驱动电路:可以应用于各种需要高速开关的驱动电路中,如逆变器和转换器。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,要注意保证散热,避免长时间大电流工作导致温度过高。
    2. 对于便携式设备,由于空间限制,推荐使用散热性能良好的封装形式。
    3. 在进行负载开关设计时,合理配置外围电路以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可与其他同类电子元器件无缝集成。此外,制造商提供了详细的技术支持和售后服务,用户可以通过服务热线400-655-8788获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册内容,以下是几个常见的问题及解决方案:
    1. 问:如何确保正确的焊接质量?
    - 解决方案:建议采用回流焊工艺,避免手动焊接。对于无引脚封装的芯片,确保底部焊点的连接质量。
    2. 问:如何处理高温工作条件下的可靠性问题?
    - 解决方案:选择合适的散热方式,确保工作温度不超过最大额定值。必要时,增加外部散热片以提高散热效果。
    3. 问:如何避免因过高的漏电流而损坏器件?
    - 解决方案:确保在设计时充分考虑漏电流的路径和大小,使用合适的电路保护措施,如瞬态电压抑制器(TVS)。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 60-V MOSFET 是一款性能卓越、可靠性高的电子元器件。它凭借无卤素、低栅极电荷等特性,特别适用于便携式设备中的负载开关应用。我们强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的工程师和设计师。

K1697-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1697-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1697-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1697-VB K1697-VB数据手册

K1697-VB封装设计

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