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K3543-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3543-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3543-VB

K3543-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K3543-VB。它具有低门极电荷(Qg)和高可靠性等特点,适用于各种电力转换和驱动电路。其主要功能是作为开关器件,用于高频逆变器、电机驱动和电源管理等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 门极-源极电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TC):在VGS = 10V时,最大电流为3.8A;在100°C时,最大电流为3.8A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为18A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):4A
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大功耗(PD):在25°C时为30W
    - 热阻抗(RthJA):最大值为65°C/W
    - 热阻抗(RthJC):最大值为2.1°C/W
    - 输入电容(Ciss):最大值为80pF
    - 输出电容(Coss):最大值为177pF
    - 反向传输电容(Crss):最大值为7.0pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为48nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):最大值为12nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):最大值为19nC
    - 关断延迟时间(td(off)):最大值为34ns
    - 恢复二极管特性:最大反向恢复时间为739ns,最大反向恢复电荷为3.2μC

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:这降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 增强的门极、雪崩和动态dV/dt坚固性:提高了产品的可靠性和耐用性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保了在各种条件下的稳定性能。
    - 符合RoHS指令:环保且安全。

    应用案例和使用建议


    - 逆变器应用:由于其高耐压和低损耗特性,K3543-VB适用于高频逆变器,可提高系统效率。
    - 电机驱动:其快速开关特性和低损耗使其成为电机驱动的理想选择。
    - 电源管理:在电源管理电路中,K3543-VB可以提供高效的开关性能,降低功耗。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑其热阻抗,确保散热良好,以避免过热。
    - 使用合适的驱动电路,以充分利用其低门极电荷特性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K3543-VB与多种标准驱动器和控制器兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下,器件的漏极电流会下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题2:开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感,使用低泄漏电感器。
    - 问题3:在高电流下,器件可能出现过热。
    - 解决方案:使用更大的散热器,或者采用并联的方式降低单个器件的电流负担。

    总结和推荐


    K3543-VB是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET,具有低门极电荷、高可靠性和全面的电气特性。它非常适合应用于逆变器、电机驱动和电源管理等领域。虽然价格可能略高于普通MOSFET,但其优异的性能和可靠性使其成为值得推荐的选择。对于需要高效、可靠电力转换的应用场合,K3543-VB无疑是最佳的解决方案之一。

K3543-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3543-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3543-VB数据手册

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K3543-VB封装设计

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