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KIA12N60H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 14M-KIA12N60H-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA12N60H-VB

KIA12N60H-VB概述


    产品简介


    N-Channel 650V Power MOSFET(D-S)
    这款N沟道650V功率MOSFET(D-S)是专为高电压和高频应用设计的高性能电子元件。主要应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明和工业设备等领域。通过低通态电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),此产品能够在多种高能效要求的应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C时12A,100°C时9.4A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):45A
    - 最大功耗 (PD):34W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C到+150°C
    - 热阻 (RthJA):60°C/W
    - 热阻 (RthJC):0.8°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):3V至5V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):1μA
    - 通态电阻 (RDS(on)):0.08Ω (10V,ID=8A)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):0pF
    - 输出电容 (Coss):无数据
    - 反向传输电容 (Crss):无数据
    - 总栅极电荷 (Qg):43nC
    - 栅源电荷 (Qgs):5nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):22nC
    - 上升时间 (tr):11ns

    产品特点和优势


    - 低通态电阻:RDS(on)低至0.08Ω,确保高效能。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)仅43nC,减少开关损耗。
    - 优异的热管理:热阻RthJA为60°C/W,RthJC为0.8°C/W,提升可靠性。
    - 卓越的电性能:输入电容Ciss低至0pF,反向传输电容Crss同样无数据,降低开关频率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源供应:通过高效的电源转换和更低的功耗,降低系统运行成本。
    2. 开关模式电源供应(SMPS):显著提高能源利用效率。
    3. 照明系统:例如高亮度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,在高可靠性需求下使用。
    使用建议
    - 电路布局:注意保持低寄生电感,采用接地平面以降低漏电流。
    - 散热设计:合理规划散热路径,避免过热情况发生。
    - 驱动电路:选用合适的驱动电阻(Rg)来控制开关速度和减少栅极电荷损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他同类产品具有良好的兼容性,易于集成到现有系统中。
    - 支持:提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利部署和使用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何优化栅极电荷?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻(Rg)并优化驱动电路,可以有效减少栅极电荷。
    - 问题2:工作温度超出规定范围怎么办?
    - 解决方案:安装有效的散热装置,确保设备工作在推荐的温度范围内。
    - 问题3:如何延长产品使用寿命?
    - 解决方案:严格按照操作规范使用,并定期进行维护检查。

    总结和推荐


    该款N-Channel 650V Power MOSFET凭借其低通态电阻、低栅极电荷及优异的热管理特性,使其成为高性能电子设备的理想选择。无论是对于需要高效能电源转换的应用,还是对温度和可靠性有严格要求的场合,都表现出色。强烈推荐在服务器、电信设备、照明及工业控制系统中使用。

KIA12N60H-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KIA12N60H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA12N60H-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA12N60H-VB KIA12N60H-VB数据手册

KIA12N60H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 4.6442
30+ ¥ 4.3841
100+ ¥ 3.861
1000+ ¥ 3.7154
3000+ ¥ 3.6425
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