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K3366-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K3366-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3366-Z-E1-AZ-VB

K3366-Z-E1-AZ-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,广泛应用于服务器、DC/DC转换器以及OR-ing电路等领域。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,具备出色的电气特性和可靠性,适用于多种工业和消费电子应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压(VDS): 30 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8 mJ
    - 连续源漏二极管电流(IS): 50 A(TC = 25 °C)

    - 电流参数
    - 连续漏电流(ID):
    - TC = 25 °C: 8 A
    - TA = 25 °C: 1 A
    - TA = 70 °C: 0.325 A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25 °C: 100 W
    - TC = 70 °C: 75 W
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 21.8 A: 0.007 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 18 A: 0.009 Ω
    - 热阻参数
    - 最大结至环境热阻(RthJA): 32 °C/W(最大值)
    - 最大结至外壳热阻(RthJC): 0.5 °C/W(最大值)
    - 工作温度范围
    - 操作结温及存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    2. 低导通电阻:RDS(on) 在不同电压下的表现优异,保证了高效的电能转换。
    3. 快速开关性能:具备快速的开关时间,减少能耗,提高效率。
    4. 符合环保标准:完全符合RoHS指令2011/65/EU,适用于绿色电子产品制造。

    应用案例和使用建议


    - 服务器电源管理:在服务器电源系统中,该MOSFET可作为高效能的开关器件,实现精准的电压调节和负载平衡。
    - DC/DC转换器:在DC/DC转换器中,该MOSFET可以用于降低功耗并提高转换效率。
    - OR-ing电路:在OR-ing电路中,该MOSFET可以提供可靠的电源切换和保护功能。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热,以避免过热导致的性能下降。
    - 在高温环境下使用时,注意调整工作电流,避免超过最大额定值。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以与其他主流电子元器件和设备配合使用。制造商提供了全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和详细的安装说明。客户还可以通过官方技术支持热线获得进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下性能不稳定
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或使用散热风扇,以保持结温在安全范围内。
    2. 问题:电路中出现异常电流波动
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保所有接线无误;重新校准电流检测电路。
    3. 问题:产品在长时间运行后出现性能下降
    - 解决方案:定期进行电路检查和维护,确保散热系统正常工作,避免因过热导致的性能衰减。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种工业和消费电子应用。其低导通电阻、快速开关性能和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效能和高可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用此款MOSFET。

K3366-Z-E1-AZ-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3366-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3366-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3366-Z-E1-AZ-VB K3366-Z-E1-AZ-VB数据手册

K3366-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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起订量: 20 增量: 2500
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最小起订量为:20
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型号 价格(含增值税)
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