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KF12N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: KF12N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF12N60-VB

KF12N60-VB概述

    # KF12N60 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF12N60 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高效率电源设计而开发。它采用了先进的制造工艺,在低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)之间实现了卓越的平衡。KF12N60 主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及照明应用(如高强度放电灯和荧光灯)。此外,它还可广泛应用于工业领域,特别是在需要高效能转换的场景下表现优异。
    主要功能
    - 支持高压环境下的工作
    - 低导通损耗和开关损耗
    - 高度可靠性和耐用性
    应用领域
    - 服务器和电信设备的电源管理系统
    - 各类开关电源模块
    - 功率因数校正电路
    - 工业控制与自动化设备
    - 照明系统(如 HID 和荧光灯)

    技术参数


    以下是 KF12N60 的关键性能指标和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.5 | - | Ω |
    | 栅极电荷总量 | Qg | - | 186 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1471 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 30 | mJ |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 70 | - | A |
    | 最大结温 | TJ | -55 | - | 150 | °C |
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):650 V
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):30 mJ
    - 最大结壳热阻 (RthJA):63 °C/W

    产品特点和优势


    KF12N60 在性能上具有多项显著优势,使其成为高效能电源管理的理想选择:
    1. 低导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷 (Qg):实现高效的开关操作,降低整体功耗。
    2. 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境中稳定运行。
    3. 快速开关性能:减少开关损耗,提高效率。
    4. 广泛的温度适应性:能够在极端条件下正常工作,适合多种复杂应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:KF12N60 被广泛应用于高密度服务器电源和电信设备的电源模块中,其出色的能效比可显著降低系统的总功耗。
    - 工业控制设备:在工业环境中,KF12N60 以其高可靠性和宽工作温度范围成为关键组件。
    使用建议
    - 确保驱动电路的栅极电阻 (Rg) 设计合理,避免过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 在高功率场景中,建议使用合适的散热片以降低器件温度,提升长期稳定性。
    - 定期监测电路中的电流通路和电压变化,确保器件始终在安全范围内工作。

    兼容性和支持


    KF12N60 支持主流的电源管理电路设计,与市场上常见的控制器和驱动器高度兼容。制造商提供全面的技术支持,包括样品申请、技术支持和售后服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高,可能导致器件失效 | 添加外置散热片并优化电路布局 |
    | 开关频率过高导致异常发热 | 降低工作频率或调整驱动电路 |
    | 输出不稳定 | 检查外围电容值和电路连接情况 |

    总结和推荐


    KF12N60 功率 MOSFET 是一款兼具高效能和高可靠性的电子元器件,特别适用于高要求的电源管理和工业控制场景。其卓越的性能参数、丰富的功能特性和广泛的应用场景使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高性能功率管理解决方案的设计工程师和企业用户。
    如果您正在寻找一款能在苛刻环境下表现出色且能够显著提高系统效率的产品,KF12N60 将是一个理想的选择!

KF12N60-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 9A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF12N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF12N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF12N60-VB KF12N60-VB数据手册

KF12N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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