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SUM23N15-73-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,55A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);4.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: SUM23N15-73-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUM23N15-73-VB

SUM23N15-73-VB概述

    # N-Channel 150V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 150V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能、低功耗的电子元器件,广泛应用于电源转换、电机驱动、LED驱动等领域。这款MOSFET具备低导通电阻和高击穿电压的特点,能够承受较大的电流,非常适合用于高功率、高频电路的设计中。
    主要功能
    - 低导通电阻:最小导通电阻仅为0.035Ω,适用于高效率电路设计。
    - 高耐压能力:最高耐压可达150V,适合各种高压应用场景。
    - 宽工作温度范围:可在-55℃到175℃的极端环境下稳定工作。
    应用领域
    - 开关电源:作为主侧开关,提高电源转换效率。
    - 电机驱动:用于电动机的控制和保护。
    - LED驱动:在大功率LED灯的应用中提供可靠的开关控制。
    - 其他高压直流应用:如DC-DC转换器等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 150 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 45 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 140 | A |
    | 雪崩电流 | IAR | 50 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | 80 | mJ |
    | 最大功率损耗 | PD | 160 | W |
    | 热阻抗 | RthJA | 40 | °C/W |
    | 热阻抗 | RthJC | 0.9 | °C/W |
    工作参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.035 0.080 | Ω |
    | 转导电容 | Ciss | 2200 pF |
    | 输出电容 | Coss | 290 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 190 pF |
    | 门极电阻 | Rg | 2 Ω |
    | 门极电荷 | Qg | 38 60 | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | 13 nC |
    | 门极栅电荷 | Qgd | 13 nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 15 25 | ns |
    | 上升时间 | tr | 130 200 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 30 45 | ns |
    | 下降时间 | tf | 90 140 | ns |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低热阻抗封装:采用新开发的低热阻抗封装,确保设备在高温环境下仍能保持高效运行。
    - TrenchFET®技术:运用先进的沟槽技术,降低导通电阻并提高开关速度。
    - 高工作温度范围:可承受高达175℃的工作温度,适用于恶劣环境下的应用。
    市场竞争力
    - 高性能:出色的电气特性和稳定性使得这款MOSFET在市场上具有显著的竞争优势。
    - 高可靠性:保证在极限工作条件下仍能可靠运行,适用于关键应用领域。
    - 符合环保要求:符合RoHS和无卤素标准,适用于各类环保要求较高的市场。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    这款N-Channel 150V MOSFET常被用于设计高性能的开关电源、电机驱动系统和LED驱动器。例如,在一款DC-DC转换器的设计中,可以使用此MOSFET作为主侧开关,实现高效、稳定的电压转换。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较低的RthJA值,建议使用良好的散热措施,以防止过热现象。
    - 驱动电路:为了确保高效的开关操作,建议使用合适的驱动电路,如栅极驱动器,以减少开关损耗。
    - 电压和电流限制:在设计电路时需注意,避免超出其绝对最大额定值,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    此MOSFET支持多种封装形式,可与大多数主流PCB设计兼容。此外,还提供与多种驱动电路和控制器的兼容性,以便于集成和应用。
    支持信息
    VBsemi公司为客户提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用技术支持和维修服务。官方网站上提供了详细的产品文档和技术资料,便于客户进行深入研究和应用开发。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的驱动电路?
    - 解决方案:根据实际应用场景,选择合适的栅极驱动器,确保驱动信号的强度和频率满足需求。
    2. 如何处理过热问题?
    - 解决方案:在电路设计中加入有效的散热机制,如散热片或散热风扇,确保设备在高温环境下的正常运行。
    3. 如何验证产品的可靠性?
    - 解决方案:建议在设计初期进行详细的功能测试和可靠性验证,以确保产品在实际应用中的稳定性和耐用性。

    总结和推荐


    产品评估
    综上所述,这款N-Channel 150V MOSFET凭借其优异的电气性能、高可靠性以及广泛的适用性,是高性能电子设备的理想选择。它不仅在电源转换、电机驱动等核心应用中表现出色,而且在严苛的工作环境中也能保持稳定的运行状态。
    推荐意见
    我们强烈推荐在需要高性能、高可靠性的电子设备中使用这款MOSFET。无论是设计高效率的开关电源还是构建稳定可靠的电机控制系统,它的卓越表现都将为您的项目带来显著的优势。

SUM23N15-73-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.7V
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 55A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUM23N15-73-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUM23N15-73-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUM23N15-73-VB SUM23N15-73-VB数据手册

SUM23N15-73-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.9102
800+ ¥ 6.6223
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