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ME4436-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: ME4436-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME4436-VB

ME4436-VB概述

    # ME4436 N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    ME4436是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TrenchFET®技术制造。其设计专注于低侧同步整流器操作,适用于多种电源管理应用场景。该产品符合IEC 61249-2-21标准,属于无卤材料器件,适合环保要求较高的应用场合。
    主要功能
    - 高效率功率转换
    - 优异的热稳定性和可靠性
    - 支持高频率开关操作
    - 应用于CCFL逆变器等领域
    应用领域
    - 消费类电子设备
    - 工业控制
    - 照明系统(如CCFL逆变器)
    - 其他需高效能低损耗的应用场景

    技术参数


    以下为ME4436的主要技术规格和关键参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 栅漏电荷 | Qg | 10.5 | 21 | 32 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 3.5 | - | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 3.3 | - | 5 | Ω |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 10 | 20 | 30 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | 20 | 30 | 40 | ns |
    | 节点温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - Halogen-Free:环保设计,符合欧盟RoHS指令要求。
    - TrenchFET®技术:显著降低导通电阻,提高能效。
    - UIS测试:100%通过雪崩耐受能力测试,确保稳定性。
    市场竞争力
    - 低导通电阻:典型值仅为0.025Ω(@VGS=10V),极大提升效率。
    - 快速开关速度:关断时间和开启时间均较短,适合高频应用。
    - 高可靠性:可在极端温度条件下(-55°C至150°C)稳定运行。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    ME4436广泛应用于消费电子产品、工业控制设备及照明系统,特别是在需要高频驱动的电路中表现出色。例如,在CCFL逆变器中,其高效的能量转换能力和快速响应特性能够显著改善电源效率。
    使用建议
    1. 在高频率电路中使用时,需注意寄生电容的影响,合理选择外部电路参数。
    2. 考虑到热管理,建议增加散热片或采用强制风冷方式。
    3. 在进行高速开关时,应避免长时间过压操作以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    ME4436采用标准SO-8封装,易于与其他主流集成电路兼容,支持表面贴装技术(SMT)。该器件可直接替换同类产品,无需更改现有设计。
    支持服务
    制造商提供全面的技术支持,包括样品申请、设计咨询和技术文档下载。同时,用户可通过官方服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 检查VGS电压是否达到规定阈值 |
    | 高温环境下工作异常 | 增加散热措施,检查环境温度限制 |
    | 开关速度慢 | 减少外部栅极电阻值 |

    总结和推荐


    综合评估
    ME4436以其卓越的性能和高可靠性成为一款值得信赖的功率MOSFET产品。它不仅具备出色的低导通电阻特性,还拥有快速开关速度和良好的热管理能力。特别适合在高频、高温环境中工作的应用场景。
    推荐使用
    我们强烈推荐ME4436用于各种需要高效能功率转换的应用中。无论是消费电子还是工业控制领域,它都能提供稳定的性能表现,是理想的选择。

ME4436-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 7.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.54V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ME4436-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME4436-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ME4436-VB ME4436-VB数据手册

ME4436-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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