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W113-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: W113-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) W113-VB

W113-VB概述

    # Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的双沟道P沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用先进的TrenchFET®技术制造。该产品主要用于负载开关和其他高压电力控制场景,具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。产品广泛应用于工业自动化、通信设备、消费电子等领域。

    技术参数


    以下为该产品的关键技术参数:
    - 电压范围: -30 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150°C): -7.3 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 时: 0.029 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V 时: 0.039 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在 VGS = -10 V 时: 17 nC
    - 在 VGS = -4.5 V 时: 15 nC
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C
    - 封装类型: SO-8
    绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): -32 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 20 mJ

    产品特点和优势


    1. 先进的TrenchFET®技术: 保证了更低的导通电阻和更高的效率。
    2. 无卤素设计: 符合RoHS标准,绿色环保。
    3. 高可靠性: 所有样品经过100%雪崩测试 (UIS Tested),确保稳定运行。
    4. 紧凑封装: SO-8封装适合空间受限的应用场合。
    5. 广泛适用性: 能够适应从低温到高温的严苛工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关: 适用于需要高效切换的大电流电路。
    - 电源管理: 在高压电路中提供精确的控制。
    - 电池管理系统: 控制充放电路径,提升系统稳定性。
    使用建议
    1. 热管理: 高功率使用时需确保良好的散热条件,避免热失控。
    2. 驱动电路设计: 需选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度。
    3. 静电保护: 使用时注意静电防护,防止过高的VGS对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准SO-8封装的电路板兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括电话热线400-655-8788,帮助用户解决技术问题和提供技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查驱动电阻值并优化电路布局。 |
    | 过热现象 | 添加散热片或改进冷却方案。 |
    | 导通电阻异常偏高 | 确保VGS达到规定阈值,检查焊接质量。 |

    总结和推荐


    Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款性能卓越的功率MOSFET产品,具备低导通电阻、高可靠性和环保设计等显著优势。对于需要高效能和高可靠性的电力控制场景,该产品是理想的选择。经过全面评估,我们强烈推荐此产品用于各种高压负载开关及电源管理应用中。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

W113-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W113-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

W113-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 W113-VB W113-VB数据手册

W113-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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