处理中...

首页  >  产品百科  >  K1432-VB

K1432-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K1432-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1432-VB

K1432-VB概述

    K1432-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1432-VB 是一款由 VBsemi 生产的N沟道100伏(D-S)功率MOSFET。它采用先进的TrenchFET®工艺制造,具有高可靠性、低导通电阻和高结温耐受能力。该器件主要应用于隔离式DC/DC转换器中。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏电流(TJ = 175°C):28 A (25°C), 50 A (125°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):120 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):31 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):61 mJ
    - 最大功耗(PD):360 W (25°C), 3.70 W (TA = 25°C)
    - 存储温度范围(Tstg):-55 至 175°C
    - 热阻率:
    - 结到环境热阻率(RthJA):40°C/W
    - 结到外壳热阻率(RthJC):0.4°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):100 V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1.5 V 至 4.0 V
    - 零栅源电压漏电流(IDSS):1 μA (VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 开启状态漏电流(ID(on)):120 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 开启状态漏源电阻(rDS(on)):0.034 Ω (VGS = 10 V, ID = 30 A)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):5100 pF
    - 输出电容(Coss):480 pF
    - 反向转移电容(Crss):210 pF
    - 总栅电荷(Qg):90 nC 至 130 nC
    - 栅源电荷(Qgs):23 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):34 nC
    - 其他参数:
    - 栅极电阻(Rg):0.5 Ω 至 3.3 Ω
    - 开关时间:td(on) = 3 ns, tr = 220 ns, td(off) = 45 ns, tf = 200 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:TrenchFET® 工艺保证了出色的可靠性和耐用性。
    - 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 175°C 的极端环境下稳定工作。
    - 低热阻:通过设计确保在高电流情况下也能保持较低的工作温度。
    - 优秀的导通特性:在高电流和高温条件下依然能保持较低的导通电阻。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 隔离式DC/DC转换器:适用于需要高效能电源管理的应用,如通信设备、服务器和工业控制系统。
    使用建议:
    - 在使用时需注意过载保护,避免长期工作在极限电流下,以免影响器件寿命。
    - 在高频率开关应用中,考虑外部电容和电感的配合以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K1432-VB 可以与市面上常见的电路板和电源系统兼容。
    - 支持服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率,增加散热措施。 |
    | 导通电阻偏高 | 检查栅极电压是否在正常范围内。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    K1432-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,非常适合在各种恶劣环境中使用。其宽工作温度范围和高耐压特性使其成为工业应用的理想选择。该产品在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐在需要高性能、高可靠性的隔离式DC/DC转换器中使用 K1432-VB。通过合理的选型和使用建议,可以充分发挥其潜力并获得最佳性能。

K1432-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1432-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1432-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1432-VB K1432-VB数据手册

K1432-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 27.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504