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WNM3007-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: WNM3007-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WNM3007-VB

WNM3007-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍了一款N沟道30伏(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品属于TrenchFET®功率MOSFET系列,设计用于高侧同步整流操作,具有极低的导通电阻,适用于笔记本电脑CPU核心中的高侧开关。

    2. 技术参数


    - 电压特性:漏源击穿电压 \(V{DS}\) 达到30V。
    - 电流特性:最大连续漏极电流(\(TJ = 150^\circ\mathrm{C}\))为13A(\(TC = 25^\circ\mathrm{C}\)),最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\) 为45A。
    - 导通电阻:\(R{DS(on)}\) 在 \(V{GS} = 10\ \mathrm{V}\) 时为0.008Ω,在 \(V{GS} = 4.5\ \mathrm{V}\) 时为0.011Ω。
    - 电荷特性:典型总栅极电荷 \(Qg\) 为6.1nC。
    - 封装类型:SO-8 封装。
    - 热阻:结至环境的最大热阻 \(R{thJA}\) 为55°C/W,结至脚的最大热阻 \(R{thJF}\) 为29°C/W。
    - 存储和工作温度范围:存储温度范围为 \(-55^\circ\mathrm{C}\) 到 \(150^\circ\mathrm{C}\),操作结温范围为 \(-55^\circ\mathrm{C}\) 到 \(150^\circ\mathrm{C}\)。

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:采用无卤素材料,符合RoHS标准,满足环保要求。
    - 高性能:采用TrenchFET®技术,优化了高侧同步整流操作。
    - 全面测试:100%栅极电阻测试和100%短路耐受测试。
    - 宽广的应用领域:适用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关,性能优越,可靠性高。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:本产品广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关,能够有效提升电源管理效率。
    - 使用建议:在应用过程中,需注意散热设计,确保工作温度不超过150°C,以保持良好的性能和稳定性。此外,可参考图示的典型特性曲线,优化电路设计以达到最佳效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有常见的SO-8封装设备高度兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的工作温度导致产品损坏。
    - 解决方法:改善散热设计,增加外部散热装置,确保工作温度不超过最大值。
    - 问题2:漏电流过大。
    - 解决方法:检查电路连接,确保接地良好,减少外部干扰。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高电流容量和优秀的可靠性,成为笔记本电脑CPU核心高侧开关的理想选择。其环保特性、广泛的适用性和强大的技术支持使其在市场上具备很高的竞争力。我们强烈推荐此产品给需要高效能、高可靠性的应用场景。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

WNM3007-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WNM3007-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WNM3007-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WNM3007-VB WNM3007-VB数据手册

WNM3007-VB封装设计

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