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K2490-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: K2490-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2490-VB

K2490-VB概述

    K2490-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册解析



    1. 产品简介



    K2490-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel 200V MOSFET。作为一款高性能的电源管理器件,它特别适用于电源开关和功率转换应用中。K2490-VB 内置了先进的沟槽场效应管(TrenchFET®)技术,能够在高温度环境下稳定运行,具备优良的开关性能和较低的导通电阻,从而提高整体系统的效率。


    2. 技术参数



    K2490-VB的主要技术规格如下:

    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |---------------------|------|------|------|----|
    | 漏源电压(VDS) | 200 V |
    | 漏极连续电流(ID) | 12 40 | A |
    | 源极连续电流(IS) | 12 A |
    | 漏极脉冲电流(IDM) 70 | A |
    | 二极管反向恢复时间(trr) | 180 250 | ns |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.11 | 0.12 | 0.15 |  |

    此外,K2490-VB 支持最高175°C的结温操作,并符合RoHS标准。它具有良好的热稳定性,可以在宽广的工作温度范围内可靠运行。


    3. 产品特点和优势



    K2490-VB 的主要特点是:

    - 高可靠性:能够在高温环境中持续工作,最大结温达到175°C。
    - 低导通电阻:RDS(on)值仅为0.11-0.15Ω,显著降低损耗。
    - 稳定性好:PWM优化设计确保在高频开关应用中的稳定性能。
    - 环保合规:完全符合RoHS指令要求,适合广泛的应用场景。

    这些特点使得K2490-VB 在诸如电力转换、电机驱动和开关电源等领域表现出色,成为工程师们优先考虑的选择之一。


    4. 应用案例和使用建议



    K2490-VB 的典型应用场景包括:

    - 开关电源:由于其低导通电阻和良好的热稳定性,K2490-VB 适用于各种类型的开关电源中,可以有效地提高系统效率。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,K2490-VB 可以用于控制电机的启动和停止,实现精准的控制。
    - 电源转换:在电源转换器中,K2490-VB 可以帮助减少功耗,提高电源转换效率。

    使用建议:

    - 在选择合适的散热方案时,需要考虑到K2490-VB 的热阻参数(RthJA),确保器件不会因过热而损坏。
    - 为了最大限度地利用K2490-VB 的性能,建议在设计时选择合适的栅极电阻,以优化开关时间和关断时间。


    5. 兼容性和支持



    K2490-VB 采用了标准的TO-220封装,易于与其他电子元件或设备集成。台湾VBsemi公司为该产品提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的产品文档和在线技术支持,以确保客户能够顺利地使用和维护该产品。


    6. 常见问题与解决方案



    根据技术手册,用户可能会遇到以下问题及其相应的解决方法:

    - 问题:K2490-VB 发生过早失效。
    解决办法:检查电路设计,确保散热措施得当,避免过热情况发生。
    - 问题:电路出现异常噪声。
    解决办法:检查栅极电阻设置,确保栅极电容和栅极电阻匹配合理,减少噪声干扰。
    - 问题:电路在某些情况下不能正常工作。
    解决办法:仔细检查工作电压和电流是否超出规定的范围,确保器件在额定条件下运行。


    7. 总结和推荐



    总体来说,K2490-VB 是一款性能优异的N-Channel MOSFET,特别适合于高可靠性要求的应用场合。它具有优秀的热稳定性和低导通电阻,能够显著提升电路的整体效率。对于需要处理大电流和高功率密度的电源转换应用,K2490-VB 是一个理想的选择。强烈推荐给需要高效能电源管理解决方案的工程师和设计师们。

K2490-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
Id-连续漏极电流 30A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2490-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2490-VB数据手册

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K2490-VB封装设计

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