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STP185N55F3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: STP185N55F3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STP185N55F3-VB

STP185N55F3-VB概述


    产品简介


    STP185N55F3 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款产品广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域,特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场合。STP185N55F3通过采用先进的TrenchFET®技术,提供了出色的电气特性和低热阻封装,使其成为许多高性能电子设备的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 \( V{DS} \) | 60 | V |
    | 导通电阻 \( R{DS(on)} \) @ \( V{GS} = 10 V \) | 0.003 | Ω |
    | 导通电阻 \( R{DS(on)} \) @ \( V{GS} = 4.5 V \) | 0.009 | Ω |
    | 持续漏极电流 \( ID \) | 210 | A |
    | 极限漏极电流 \( I{DM} \) | 480 | A |
    | 最大功耗 \( PD \) | 375 | W |
    | 绝对最大额定温度 \( T{J}, T{STG} \) | -55 to +175 | °C |

    产品特点和优势


    STP185N55F3 具备以下特点和优势:
    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 低热阻封装:有效提升散热性能,提高可靠性。
    - 全面测试:100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 符合RoHS标准:满足RoHS Directive 2002/95/EC标准。
    - 高可靠性:经过严格设计验证,保证高可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    STP185N55F3 在多种应用中表现出色,例如:
    - 开关电源:因其低导通电阻和高电流承载能力,适用于高效率的开关电源系统。
    - 电机驱动:由于其低热阻和大电流能力,可有效降低功耗和热量,延长电机寿命。
    - 负载开关:适用于需要快速开关的电路,如高频信号处理。
    使用建议:
    - 在使用时确保散热设计合理,避免长时间处于高温状态。
    - 在开关电源应用中,适当选择电容和电感值以匹配MOSFET的开关频率。

    兼容性和支持


    STP185N55F3 采用TO-220AB封装,具有良好的通用性,可以方便地与其他电路板进行集成。VBsemi提供详尽的技术支持和文档,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致过热 | 改进散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 开关频率过高导致损坏 | 调整电路参数,减小开关频率。 |
    | 导通电阻变大导致发热增多 | 检查工作温度,必要时更换更高性能的MOSFET。 |

    总结和推荐


    综上所述,STP185N55F3 是一款性能卓越、高效可靠的N沟道60V MOSFET,特别适合于高要求的应用场合。其低导通电阻、高耐压和良好散热设计使得它在多种电力电子应用中表现出色。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的电力转换系统中使用此产品。
    如有任何疑问或技术支持需求,欢迎随时联系VBsemi的客户服务热线:400-655-8788。

STP185N55F3-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 210A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

STP185N55F3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STP185N55F3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STP185N55F3-VB STP185N55F3-VB数据手册

STP185N55F3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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