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SVF6N60D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: SVF6N60D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SVF6N60D-VB

SVF6N60D-VB概述

    SVF6N60D N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SVF6N60D 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电力转换系统、电机驱动控制及电源管理等领域。此型号的MOSFET具备低门极电荷、高可靠性及优异的动态性能,能够显著降低系统复杂度并提升整体效率。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏电流 (ID): 5A (TC=25°C),4A (TC=100°C)
    - 最大瞬态漏电流 (IDM): 16A
    - 最小输入电容 (Ciss): 320pF
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.95Ω @ 10V VGS
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 可变值
    - 最大门极电荷 (Qg): 15nC
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 120mJ
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): - °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): - °C/W

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷: SVF6N60D 具有较低的门极电荷 (Qg),可简化驱动需求,减少功耗。
    2. 高可靠性和耐压能力: 改进了门极、雪崩及动态 dV/dt 耐压能力,提升了产品可靠性。
    3. 全面表征: 包括完全标定的电容和雪崩电压及电流特性。
    4. 环保设计: 符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    1. 电机驱动: 适用于电机驱动控制,通过提高系统效率和降低复杂度来实现节能效果。
    2. 电源转换: 在高压电源转换应用中,能够承受高压环境且保持稳定运行。
    3. 电池充电: 作为电池充电电路的关键组件,能够提供稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 选择合适的驱动电路以保证低门极电荷,避免不必要的功耗。
    - 确保在高温环境下正确散热,以维持长期稳定运行。
    - 结合具体应用场景选择最优的参数配置,例如漏电流、门极电压等。

    兼容性和支持


    - 兼容性: SVF6N60D 采用通用封装(TO-220AB、TO-252 等),与多种电路板设计兼容。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和客户服务热线(400-655-8788),以确保用户获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时间不稳定
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计,确保符合产品要求。适当调整门极电阻值。
    - 问题2: 发生过电压
    - 解决方案: 检查系统布局,确保电路中没有多余寄生电感,从而降低 dV/dt 影响。
    - 问题3: 散热不良导致性能下降
    - 解决方案: 采用有效的散热措施,如加装散热片或改进 PCB 布局。

    总结和推荐


    SVF6N60D N-Channel MOSFET 凭借其低门极电荷、高可靠性和全面的特性,非常适合于高压、高频应用场合。其出色的性能和丰富的技术文档使其在市场上具有较强的竞争力。总体而言,我们强烈推荐此产品用于需要高效、可靠电力转换的应用中。

SVF6N60D-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SVF6N60D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SVF6N60D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SVF6N60D-VB SVF6N60D-VB数据手册

SVF6N60D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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