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MMSF10N03ZR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: MMSF10N03ZR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMSF10N03ZR2G-VB

MMSF10N03ZR2G-VB概述


    产品简介


    本产品为一款高性能N沟道MOSFET,型号为MMSF10N03ZR2G。该产品采用了先进的TrenchFET技术,适用于高侧同步整流操作。MMSF10N03ZR2G主要应用于笔记本CPU核心的高侧开关,是电源管理和电池充电等领域的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - 在 \( TC = 25^\circ\text{C} \) 下: 13A
    - 在 \( TA = 70^\circ\text{C} \) 下: 7A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 45A
    - 静态门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0~3.0V
    - 正向转导电导率 \( g{fs} \): 50S
    - 输入电容 \( C{iss} \): 800pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 165pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 73pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 15~23nC
    - 工作温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55°C ~ 150°C
    - 最大热阻抗 \( R{thJA} \): 55°C/W(最大)

    产品特点和优势


    - 无卤材料: 环保设计,符合RoHS标准。
    - 优化设计: 适用于高侧同步整流操作,特别适合笔记本CPU核心。
    - 高质量测试: 100% Rg和UIS测试,确保产品可靠性。
    - 低导通电阻: \( R{DS(on)} \) 仅为0.008Ω (在 \( V{GS}=10\text{V} \) 条件下),保证高效能。
    - 高安全系数: 能承受高达20A的单脉冲雪崩电流和21mJ的雪崩能量。

    应用案例和使用建议


    MMSF10N03ZR2G广泛应用于笔记本电脑中的高侧开关,以提高电源管理效率。在实际应用中,建议确保散热措施良好,避免因过热导致的失效。此外,在应用前,需根据具体电路要求进行充分测试,确保参数匹配。

    兼容性和支持


    MMSF10N03ZR2G采用SO-8封装,与其他主流封装尺寸的器件具有良好的兼容性。VBsemi公司提供全面的技术支持和客户服务,包括产品手册下载、技术支持热线和在线咨询服务。客户还可以通过官方网站访问详细的产品文档和更新信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下工作时出现过热现象。
    - 解决方案:增加外部散热片,优化散热设计,降低功耗。
    2. 问题:在脉冲电流下表现不稳定。
    - 解决方案:调整电路设计,适当增加驱动电阻和电容,确保稳定的脉冲响应。
    3. 问题:启动延迟时间较长。
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电容影响,提高门极驱动能力。

    总结和推荐


    综上所述,MMSF10N03ZR2G是一款性能优越、可靠性高的N沟道MOSFET,特别适用于笔记本CPU核心的高侧开关和其他需要高效电源管理的应用场合。考虑到其出色的性能和丰富的技术支持,强烈推荐此产品给需要高性能电源管理解决方案的工程师和技术人员。

MMSF10N03ZR2G-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 11A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 15V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMSF10N03ZR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MMSF10N03ZR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MMSF10N03ZR2G-VB MMSF10N03ZR2G-VB数据手册

MMSF10N03ZR2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
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4000+ ¥ 0.9929
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型号 价格(含增值税)
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