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SSP7N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: SSP7N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SSP7N60-VB

SSP7N60-VB概述

    SSP7N60 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SSP7N60 是一款高性能 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),主要用于开关模式电源(SMPS)和其他高功率切换应用。其典型应用包括不间断电源(UPS)及各种在线离线式 SMPS 拓扑结构(如有源钳位正向电路和主开关)。此产品以其卓越的耐压能力和低导通电阻而著称,适用于需要高效能电力转换的应用场合。

    技术参数


    - 工作电压(VDS):600 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 0.780 Ω
    - 总栅极电荷(Qg max.):49 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):13 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):20 nC
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):37 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):290 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):8.0 A
    - 重复雪崩能量(EAR):17 mJ
    - 最大功耗(PD):在 TC = 25 °C 时为 170 W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):5.0 V/ns
    - 绝对最高温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:SSP7N60 的低栅极电荷(Qg)简化了驱动需求,提高了系统的整体效率。
    - 改进的坚固性:其门极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性得到了显著提升,保证了在严苛条件下的可靠运行。
    - 完全特性化:所有关键参数(包括雪崩电压和电流)都经过全面特性化处理,确保一致性。

    应用案例和使用建议


    SSP7N60 常见于开关模式电源和不间断电源系统中。根据技术手册中的数据,用户可以了解到它在具体应用中的最佳使用方法。例如,在 SMPS 中使用时,可以通过优化驱动电路来减少能量损耗。此外,用户需要注意在高电流情况下可能产生的热问题,通过合理设计散热系统来避免过温问题。

    兼容性和支持


    SSP7N60 可以直接用于多种拓扑结构的 SMPS 设计中,兼容大多数现有电源设计。制造商提供了详尽的技术支持文档和应用指南,帮助用户更好地利用这一产品。如果在使用过程中遇到任何问题,可以联系技术支持获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最大脉冲漏极电流?
    解决方案:查看手册中的绝对最大额定值表格,确保不超过其限制。
    - 问题:如何提高系统的可靠性?
    解决方案:合理设计散热路径,确保器件在工作温度范围内运行。
    - 问题:如何正确连接栅极?
    解决方案:参考应用示例图和连接说明,确保正确的栅极电阻值。

    总结和推荐


    SSP7N60 N-Channel MOSFET 是一款专为高功率应用设计的高性能器件。它的低栅极电荷、改进的坚固性及完全特性化使其成为许多电力转换应用的理想选择。强烈推荐在设计高效率、可靠性的开关电源系统时使用此产品。

SSP7N60-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

SSP7N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SSP7N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SSP7N60-VB SSP7N60-VB数据手册

SSP7N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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