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UT3401ZL-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT3401ZL-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3401ZL-AE3-R-VB

UT3401ZL-AE3-R-VB概述


    产品简介


    UT3401ZG-AE3-R P-Channel 30 V MOSFET 是一款适用于便携式计算领域的高性能P沟道MOSFET。它主要用于负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等领域。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,是电源管理应用的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(VDS):-30 V
    - 额定工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电流参数
    - 持续漏极电流(ID):5.6 A(TJ = 150°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):18 A
    - 源漏二极管电流(IS):2.1 A(TJ = 25°C)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):100°C/W(最大值)
    - 最大结到引脚热阻(RthJF):50°C/W(最大值)
    - 其他关键参数
    - 导通电阻(RDS(on)):0.046 Ω @ VGS = -10 V
    - 门电荷(Qg):11.4 nC @ VGS = -4.5 V
    - 门电容(Ciss):1295 pF
    - 逆向恢复时间(trr):15 ns

    产品特点和优势


    1. 高效能:采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。
    2. 可靠性高:所有产品都进行了100% Rg测试,确保稳定可靠的运行。
    3. 适用广泛:广泛应用于移动计算设备如笔记本电脑和DC/DC转换器中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本适配器开关:在笔记本电脑充电过程中,用于控制电池充电路径。
    - DC/DC转换器:在高效率电源转换中,用于控制电力传输。
    使用建议:
    - 在应用时注意散热设计,尤其是在高功率操作下。
    - 建议使用良好的电路板布局,减少杂散电感,以提高性能和稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品与常见的电子设备和电路板兼容,可在多种平台和系统中使用。
    支持和服务:
    - 提供全面的技术支持和维护服务。如有任何问题,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高电流操作下MOSFET发热严重。
    - 解决方案:建议增加散热片或使用水冷等外部冷却方法,同时优化电路设计以降低功耗。
    问题2:二极管反向恢复时间较长。
    - 解决方案:选择合适的驱动信号和驱动电阻,以优化开关速度。

    总结和推荐


    综合评估:
    - UT3401ZG-AE3-R P-Channel MOSFET是一款高性能的产品,具备出色的导通电阻、高可靠性和广泛的适用性。
    - 通过其优良的热管理和先进的技术,该产品在多种应用中表现出色,特别适合于移动计算设备和电源管理电路的设计。
    推荐:
    - 我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高可靠性和低功耗的应用环境中。对于希望提升系统性能和可靠性的设计工程师来说,这是一个值得考虑的选择。

UT3401ZL-AE3-R-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 5.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3401ZL-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3401ZL-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3401ZL-AE3-R-VB UT3401ZL-AE3-R-VB数据手册

UT3401ZL-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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