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2SK2218-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 2SK2218-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2218-VB

2SK2218-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号为2SK2218)是一款采用TrenchFET®技术的高性能电子元器件。该MOSFET具有卤素无害的特点,适用于便携式设备的负载开关。其主要功能包括高效地控制电流并提供低电阻通道,从而减少功率损耗。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大持续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: 6.8 A
    - TC = 70 °C: 6 A
    - TA = 25 °C: 6.8 A
    - TA = 70 °C: 6 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30 A
    - 最大耗散功率:
    - TC = 25 °C: 6.3 W
    - TC = 70 °C: 4 W
    - TA = 25 °C: 2.5 W
    - TA = 70 °C: 1.6 W
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg): -55 至 150 °C
    - 热阻 (RthJA): 最大 50 °C/W
    - 环境温度下的热阻 (RthJF): 最大 20 °C/W
    - 电气特性
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 30 A
    - 开启状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 6.3 A: 0.022 Ω
    - VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A: 0.030 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 1200 pF
    - 输出电容 (Coss): 220 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 100 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 22 至 33 nC
    - 栅极电阻 (Rg): 2.4 Ω

    产品特点和优势


    2SK2218 MOSFET具有以下独特优势:
    - 高效能:低导通电阻 (RDS(on)) 提高了系统的整体效率。
    - 卤素无害:符合RoHS标准,环保安全。
    - 快速响应时间:转导和转换速度快,能够快速响应负载变化。
    - 高可靠性:适合在极端温度环境下使用,且可靠性高。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:2SK2218 主要用于便携式设备的负载开关,如智能手机、平板电脑等。
    - 使用建议:确保安装时表面焊接于1英寸×1英寸的FR4板上,避免手动焊接,以免损坏无铅封装组件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与其他通用的MOSFET设备兼容,适用广泛。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的安装指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:手动焊接过程中损坏了无铅封装组件。
    - 解决方案:推荐使用焊台进行焊接操作,避免手动焊接。
    2. 问题:如何确定最佳工作温度?
    - 解决方案:通过热阻参数和最大结温计算得到最佳工作温度范围,一般为-55至150°C。

    总结和推荐


    2SK2218 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于各种便携式设备的负载开关。其卓越的性能和广泛的兼容性使其在市场上具备很强的竞争力。建议在便携式电子设备的设计中考虑使用此产品,以提高系统的整体性能和可靠性。

2SK2218-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,45mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6.8A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2218-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2218-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2218-VB 2SK2218-VB数据手册

2SK2218-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
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