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K8A45DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K8A45DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K8A45DA-VB

K8A45DA-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET K8A45D 技术手册



    1. 产品简介



    N-Channel 650V Power MOSFET(K8A45D)是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高电压、高效率的电源转换应用设计。它具备低导通电阻(Ron)、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg)等特性,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它还适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯照明系统,以及工业应用中。


    2. 技术参数



    - 最大漏源电压 (VDS):650V(TJ max)
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):0.01Ω(VGS=10V, TJ=25°C)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):43nC(VGS=10V, ID=8A, VDS=520V)
    - 最大栅源电荷 (Qgs):5nC
    - 最大栅漏电荷 (Qgd):22nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):45A
    - 最大零栅电压漏极电流 (IDSS):1μA(VDS=650V, VGS=0V)
    - 最大反向恢复时间 (trr):345ns(TJ=25°C, IF=IS=8A, dI/dt=100A/μs, VR=400V)
    - 最大反向恢复电荷 (Qrr):4.5μC


    3. 产品特点和优势



    - 低阻抗特性:K8A45D具有低阻抗特性,可显著降低开关和导通损耗,提高整体效率。
    - 低输入电容:Ciss值低,减少了门极驱动损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg值低,有助于减小开关过程中的能量损失。
    - 增强可靠性:K8A45D通过严格的测试和认证,保证在恶劣环境下的可靠运行。


    4. 应用案例和使用建议



    - 电源转换:K8A45D广泛应用于服务器和电信电源供应系统中,可以有效提高能效,减少热耗散。
    - LED照明:适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯的照明系统,通过高效的开关控制来提高照明效果。
    - 工业设备:可用于各类工业设备中的电源管理,确保稳定可靠的操作环境。

    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议适当降额使用以确保安全性和可靠性。
    - 考虑到开关频率较高,建议选择合适的门极驱动电路,以最大限度地减少开关损耗。


    5. 兼容性和支持



    K8A45D与大多数标准驱动器兼容,适用于多种电源拓扑结构。厂商提供详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户能够充分利用产品的所有功能。


    6. 常见问题与解决方案



    - Q: 高温环境下如何避免过热?
    A: 可以通过外接散热片或增加风冷措施来降低温度。

    - Q: 如何正确选择门极驱动电路?
    A: 确保驱动电路能够提供足够的驱动电流,同时尽量减少寄生电感,从而提高系统的稳定性和可靠性。


    7. 总结和推荐



    K8A45D作为一款高性能的N-Channel 650V Power MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,在高电压和高效率的电源转换领域表现出色。无论是服务器和电信电源系统还是工业设备,它都是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能和高可靠性的工程师和技术人员。

K8A45DA-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K8A45DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K8A45DA-VB数据手册

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K8A45DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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