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MMFTN2302-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: MMFTN2302-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMFTN2302-VB

MMFTN2302-VB概述

    N-Channel 20V (D-S) MOSFET — MMFTN2302

    产品简介


    MMFTN2302是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于直流-直流转换器和便携式应用中的负载开关。它采用先进的TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。这些特性使其成为高效能电子系统中的关键组件,适用于多种高效率应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS):最大20V
    - 栅源电压 (VGS):±12V

    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID):25°C时可达6A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20A
    - 源漏二极管电流 (IS):25°C时可达1.75A

    - 热特性
    - 热阻(RthJA):最大值为100°C/W(瞬态≤5秒)
    - 功率耗散 (PD):25°C时最大2.1W
    - 最大存储温度范围 (Tstg):-55°C至150°C
    - 最高结温 (TJ):150°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):在4.5V栅源电压下最小值为0.028Ω
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):最大10μA
    - 输入电容 (Ciss):10V时最大865pF
    - 总栅电荷 (Qg):10V时最大18nC

    产品特点和优势


    - 卤素无铅设计:符合IEC 61249-2-21标准定义
    - 高性能TrenchFET®技术:确保了更高的可靠性和更佳的电气性能
    - 符合RoHS指令:完全符合RoHS 2002/95/EC要求
    - 内部测试:100%栅极电阻测试(Rg)

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于DC/DC转换器和便携式设备的负载开关。其低RDS(on)特性使得它在高效率电源管理方面表现出色。
    - 使用建议:
    - 在设计过程中,注意散热设计以避免因过热导致的损坏。
    - 确保连接引脚的焊点质量,避免虚焊和冷焊。
    - 尽可能减小引线电感,特别是在高频应用中,以提高效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:MMFTN2302采用SOT-23封装,与其他同类MOSFET产品兼容,可以轻松集成到现有的电路设计中。
    - 支持和维护:制造商提供详细的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:产品出现过热现象。
    - 解决方案:检查电路设计中的散热措施,必要时增加散热片或散热器。

    - 问题二:输出电流不达标。
    - 解决方案:确认是否超出了器件的额定电流限制,并检查电源供应稳定性。

    - 问题三:栅极电阻过高。
    - 解决方案:调整外部栅极电阻,确保在最佳范围内工作。

    总结和推荐


    MMFTN2302是一款出色的N沟道MOSFET,以其出色的性能、高可靠性以及广泛的适用性赢得了市场的青睐。其优秀的电气特性和较低的成本使其在各种高效率应用中表现优异。综上所述,强烈推荐此产品用于需要高性能电源管理和转换的应用场合。

MMFTN2302-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 8V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMFTN2302-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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MMFTN2302-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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