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K1471-TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K1471-TL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1471-TL-VB

K1471-TL-VB概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述
    本文将对一款N-Channel 60V MOSFET进行详细介绍,包括其基本功能、技术参数、产品特点、应用案例、兼容性与支持,以及常见问题解答。该MOSFET采用TrenchFET® Power MOSFET技术,是市场上可靠且高效的产品之一。

    1. 产品简介


    这款N-Channel 60V MOSFET主要用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器和电机驱动等应用。它是一种沟槽式功率MOSFET,具有以下特性:
    - 具备100%的Rg和UIS测试。
    - 材料分类符合欧洲议会2011/65/欧盟指令的限制。
    - 工作电压最高可达60V,最大连续漏极电流为18A,适用于多种工业和消费类电子设备。

    2. 技术参数


    以下是一些关键的技术参数:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | 60 V |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 1.0 - 3.0 V |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | 18 A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.073 Ω (VGS=10V) |
    | 输入电容 (Ciss) | 660 pF |
    | 输出电容 (Coss) | 85 pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | 40 pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 19.8 nC |

    3. 产品特点和优势


    该N-Channel 60V MOSFET具备以下显著特点:
    - 高可靠性:经过100%的Rg和UIS测试,确保其在高压、高频应用中的稳定性。
    - 低导通电阻:在10V时的RDS(on)仅为0.073Ω,有效降低损耗。
    - 高效的栅极电荷管理:具有低总栅极电荷(Qg)和优秀的动态性能。
    - 适用于严苛环境:工作温度范围宽广,从-55°C到150°C。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册,此MOSFET适用于以下应用:
    - 直流/直流转换器:用于电源适配器和其他电源系统,能提高效率并减少热量产生。
    - 直流/交流逆变器:用于太阳能逆变器和不间断电源系统,可实现更可靠的电力转换。
    - 电机驱动:适用于各种电动工具和家用电器中的电机控制,确保平稳运行。
    使用建议:
    - 确保正确安装并采用适当的散热措施,以避免过热。
    - 在应用前仔细阅读技术手册,以了解具体的电气特性要求。
    - 考虑选用合适的PCB设计来优化散热和电气性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET采用TO-252封装,易于集成到现有电路中。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持文档,并设有客户服务热线(400-655-8788),用户可以咨询任何技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方法:检查电路设计是否合理,考虑增加散热片或更改散热方式。
    - 问题:MOSFET不能正常工作
    - 解决方法:验证输入电压和门极电压是否在规定范围内,检查连接线是否有损坏。
    - 问题:出现噪声干扰
    - 解决方法:在电路中添加滤波器,以减少噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel 60V MOSFET是一款性能卓越、可靠性高的产品。其出色的导通电阻和低栅极电荷使其成为高性能应用的理想选择。尽管存在一些需要注意的操作条件,但其广泛的应用领域和良好的技术支持使其成为市场的优选产品。我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效、稳定电力转换的应用场景。

K1471-TL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1471-TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1471-TL-VB数据手册

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K1471-TL-VB封装设计

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