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M05X-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: M05X-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) M05X-VB

M05X-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET(型号:M05X) 是一种适用于负载开关的半导体器件。它采用了TrenchFET® Power MOSFET技术,具有低导通电阻和高可靠性等特点。这款MOSFET主要用于电源管理和负载控制等应用领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时: 4.8A
    - TC = 70°C 时: 4.1A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 20A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时: 3.0W
    - TC = 70°C 时: 2.0W
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 150°C
    - 热阻 (RthJA): 55°C/W 至 62.5°C/W
    - 反向恢复时间 (trr): 20ns 至 30ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V 时: 0.049Ω
    - VGS = -4.5V 时: 0.054Ω
    - 快速响应时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 40ns 至 60ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 20ns 至 30ns
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): VDS = -30V, VGS = 0V 时 <= -1µA
    - 符合RoHS标准: 无卤素,适合环保要求高的应用

    应用案例和使用建议


    - 应用场景: 本MOSFET适用于负载开关、电源管理等应用。
    - 使用建议:
    - 温度控制: 在高温环境下使用时,需注意散热措施,确保工作温度不超过150°C。
    - 电流限制: 在大电流应用中,要确保电路能承受瞬间的大电流冲击。
    - 驱动信号: 为获得最佳性能,应提供足够的驱动信号,以确保MOSFET快速切换。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与常见的电源管理芯片和其他控制器兼容,可广泛应用于各种电路设计。
    - 支持和服务: 可联系台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.获取技术支持和售后服务,联系方式为400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温下MOSFET温度过高导致过热保护启动。
    - 解决办法: 加装散热片或风扇,提高散热效率。
    - 问题2: 漏极电流波动大,无法稳定工作。
    - 解决办法: 确保电路的稳定性和适当选择电容器以减小输出纹波。
    - 问题3: 开关速度慢,影响系统整体性能。
    - 解决办法: 提供足够的栅极驱动电压和降低寄生电容,以提高开关速度。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V MOSFET (M05X) 具有出色的性能指标和广泛应用前景。它特别适用于需要高可靠性和快速响应的应用场合,如电源管理和负载控制。由于其低导通电阻和高效的热管理能力,它能够在各种苛刻的工作条件下表现出色。综合来看,推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用此产品。
    以上是根据技术手册内容整理的关于P-Channel 30-V MOSFET的技术手册。希望对您有所帮助!

M05X-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 4.8A
通道数量 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

M05X-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

M05X-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 M05X-VB M05X-VB数据手册

M05X-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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