处理中...

首页  >  产品百科  >  K3692-01-VB

K3692-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K3692-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3692-01-VB

K3692-01-VB概述


    产品简介


    本产品是一款650V N-Channel Super Junction功率MOSFET(型号:K3692-01-VB),适用于多种高效率电力转换场合。它具备低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)以及工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统,特别是光伏逆变器)。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在25°C时为0.23Ω
    - 典型总栅极电荷 (Qg):24nC
    - 栅源电荷 (Qgs):6nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):11nC
    - 连续漏电流 (ID):在25°C时为15A,在100°C时为10A
    - 脉冲漏电流 (IDM):45A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):286mJ
    - 最大功耗 (PD):180W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.7°C/W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):降低开关损耗,提高效率。
    2. 低输入电容 (Ciss):减少寄生效应,提升频率响应。
    3. 超低导通电阻 (RDS(on)):减少导通损耗,提高能效。
    4. 雪崩能量额定值 (UIS):增强可靠性,适合恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:利用其高效率和低损耗特性,适用于高可靠性需求的应用。
    - 开关模式电源 (SMPS):用于需要高频开关的应用,如笔记本电脑适配器。
    - 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯应用中,提供高效能的电源管理。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑散热措施,以保证MOSFET在高温下的稳定运行。
    - 使用低电感电路布局,减少开关过程中的寄生效应。
    - 适当增加栅极电阻 (Rg),以优化开关速度和减少振铃现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与多种电源拓扑结构兼容,如半桥、全桥和推挽式。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何优化电路的开关性能?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻 (Rg) 和栅极驱动器,以平衡开关速度和功耗。
    - 问题:在高温环境下,MOSFET的性能是否会受到影响?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并选择具有较高结温等级的MOSFET。
    - 问题:如何避免栅极振铃现象?
    - 解决方案:使用低电感电路布局,减少寄生电感的影响,并适当增加栅极电阻 (Rg)。

    总结和推荐


    该650V N-Channel Super Junction功率MOSFET凭借其低栅极电荷、低输入电容、超低导通电阻和高可靠性等特点,非常适合于高效率电力转换应用。其广泛的应用领域和优良的性能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用该产品。

K3692-01-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3692-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3692-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3692-01-VB K3692-01-VB数据手册

K3692-01-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 77.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831