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UT75N03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT75N03L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT75N03L-VB

UT75N03L-VB概述

    UT75N03L N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:UT75N03L 是一款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:它是一种高性能的沟槽型功率 MOSFET,具备低导通电阻和高耐压的特点。适用于电源管理、服务器及直流到直流转换等领域。
    应用领域:OR-ing、服务器、DC/DC 转换等。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):
    - \( I{D} \) (TJ = 175°C): 120A (在 25°C 时)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 380A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 64.8V
    - 最大耗散功率 (TC = 25°C): 250W (在 70°C 时为 175W)
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境温度热阻 \( R{thJA} \): 32-40°C/W (最大值)
    - 最大结点到外壳稳态热阻 \( R{thJC} \): 0.5-0.6°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 VGS = 10V 时: 0.003Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时: 0.004Ω
    - 零栅源电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1µA (在 30V, 0V 时)
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V 至 2.5V
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3100pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 725pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 370pF
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \): 171-257nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 18-27ns

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提供更高的性能和可靠性。
    - 全检 Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和稳定性。
    - 符合 RoHS 指令:环保且对人体健康安全。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:服务器、电源管理、直流到直流转换等。该 MOSFET 可用于多种电源管理场景,如电池管理系统、服务器电源等。
    使用建议:
    - 确保安装环境符合要求,如温度范围和散热条件。
    - 注意在高温环境下适当降低工作电流以防止过热。
    - 使用合适的栅极驱动电阻 \( Rg \),以优化开关性能和减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与标准 TO-220AB 封装的其他电子元器件兼容。
    - 支持:厂商提供详细的技术手册和在线支持,确保用户能够正确使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:启动时发热严重。
    - 解决方法:检查散热片是否安装得当,增加散热片的面积或使用外部风扇冷却。
    - 问题二:电路性能不稳定。
    - 解决方法:重新计算栅极驱动电阻 \( Rg \),确保其适合当前应用。

    7. 总结和推荐


    UT75N03L N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 以其出色的性能和高可靠性,在电源管理和服务器等领域有着广泛的应用前景。它具有低导通电阻、高耐压和稳定的性能,非常适合用于需要高效能和稳定性的场合。总体而言,我们非常推荐这款产品。
    如有任何疑问或技术支持需求,可拨打服务热线:400-655-8788。

UT75N03L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT75N03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT75N03L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT75N03L-VB UT75N03L-VB数据手册

UT75N03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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