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K13A50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K13A50D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K13A50D-VB

K13A50D-VB概述

    K13A50D-VB N-Channel 550V Power MOSFET

    1. 产品简介


    K13A50D-VB 是一款高性能的N沟道550V功率MOSFET,专为消费电子、工业、服务器和电信电源供应系统设计。该MOSFET采用低区域特定导通电阻(RDS(on))设计,具有低输入电容(Ciss)、低开关损耗、高体二极管坚固性以及雪崩能量额定值(UIS),非常适合高频、大电流的应用场合。此外,K13A50D-VB还具有高效率和简单栅极驱动电路的优势,使其成为市场上的优秀选择。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 额定漏源电压(VDS): 550 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 反复脉冲漏电流(IDM): 56 A
    - 最大耗散功率(PD): 60 W
    - 最大反向恢复时间(trr): 437 ns
    - 电阻参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.26 Ω @ 10 V栅源电压, 10 A漏电流
    - 有效输出电容(Co(er)): 131 pF
    - 栅源电荷(Qgs): 12 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 25 nC
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷(Qg): 80 nC - 150 nC
    - 开启延迟时间(td(on)): 24 ns - 50 ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 117 ns - 176 ns
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): 550 V
    - 连续漏电流(ID): 18 A @ 25 °C, 11 A @ 100 °C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 281 mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低区域特定导通电阻: 低RDS(on)降低了功耗和温升,提升了整体能效。
    - 低输入电容: 低Ciss降低了驱动功率需求,提高了系统的整体效率。
    - 快速开关: 快速的开启和关断时间(td(on)、td(off)),减小了动态损耗,特别适用于高频应用。
    - 高可靠性: 高雪崩能量额定值,确保了在恶劣工作环境下仍具有稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子: K13A50D-VB广泛应用于LCD或等离子电视的显示器,确保显示质量的同时降低了能耗。
    - 服务器和电信电源供应系统: 在SMPS系统中,K13A50D-VB用于实现高效的功率转换和功率因数校正(PFC)。
    - 工业应用: 如焊接、感应加热、电机驱动等,K13A50D-VB能够承受高电流和高电压,保证设备的稳定运行。
    使用建议:
    - 确保合理的栅极驱动电路设计,以避免过高的栅极电压。
    - 适当散热设计以防止过热,尤其是当连续工作时,需注意环境温度的影响。

    5. 兼容性和支持


    - K13A50D-VB与现有的大多数电源管理系统兼容,易于集成。
    - 提供详细的安装指南和技术支持,确保客户能够顺利使用和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热导致性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,提高热管理效果。

    - 问题: 栅极驱动电路不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路的布局设计,确保信号路径尽量短,减少杂散电感。

    7. 总结和推荐


    K13A50D-VB N-Channel 550V Power MOSFET凭借其优秀的性能参数和多样化应用领域,成为市场上非常值得推荐的产品。无论是消费电子还是工业应用,K13A50D-VB都能提供高效、可靠的解决方案。强烈推荐用于需要高性能、高可靠性的功率转换和驱动应用中。

K13A50D-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K13A50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K13A50D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K13A50D-VB K13A50D-VB数据手册

K13A50D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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