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K1821-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K1821-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1821-01MR-VB

K1821-01MR-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道650V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K1821-01MR-VB。该产品具备低门极电荷(Qg)、改善的门极、雪崩和动态dv/dt坚固性,以及完全表征的电容和雪崩电压及电流特性。它符合RoHS指令2002/95/EC标准。K1821-01MR-VB广泛应用于电源转换、逆变器、电机驱动等领域,是高效能、高可靠性的选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压:VDS = 650 V
    - 门源电压:VGS = ± 30 V
    - 连续漏极电流:TC = 25 °C时,ID = 1.28 A;TC = 100 °C时,ID = 1.28 A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 8 A
    - 热阻抗:RthJA = 65 °C/W
    - 单次脉冲雪崩能量:EAS = 165 mJ
    - 重复雪崩电流:IAR = 2 A
    - 重复雪崩能量:EAR = 6 mJ
    - 最大功耗:TC = 25 °C时,PD = 25 W
    - 峰值二极管恢复电压:dV/dt = 2.8 V/ns
    - 操作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:Qg = 11 nC,使得驱动要求简单,有助于降低功耗。
    - 坚固性增强:改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐用性使其适用于苛刻的应用环境。
    - 完全表征的电容和雪崩特性:通过精确的参数控制提高了产品的可靠性。
    - RoHS合规:符合欧盟的有害物质限制指令,满足环保需求。

    应用案例和使用建议


    K1821-01MR-VB MOSFET通常用于以下应用场合:
    - 开关电源:由于其低Qg特性,可以有效减少开关损耗,提高效率。
    - 逆变器:在逆变器应用中,其高耐压能力和雪崩特性提供了额外的安全裕度。
    - 电机驱动:可用于各种电机驱动电路,提供可靠的控制性能。
    建议在使用时注意以下几点:
    - 确保良好的散热管理以避免过热;
    - 使用合适的栅极电阻以防止振荡;
    - 注意电源线和信号线的布局,避免寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    K1821-01MR-VB MOSFET兼容多种应用,与大多数现有电源转换系统具有良好的互操作性。制造商VBsemi提供了详尽的技术文档和支持,包括但不限于安装指南、技术参数表和常见问题解答。对于特定应用,客户可以联系VBsemi获取进一步的支持和指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致性能下降 | 确保良好的散热管理,考虑增加散热片或冷却风扇。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查栅极电阻值是否合适,确保没有寄生电感影响。 |
    | 雪崩特性不稳定 | 确认测试条件下的实际雪崩电流和电压值,避免超过最大额定值。 |

    总结和推荐


    综上所述,K1821-01MR-VB是一款高性能的N沟道650V MOSFET,适用于多种高压和高频应用场合。其独特的低Qg、改进的雪崩和dv/dt特性使其成为高效电源设计的理想选择。如果你需要一个可靠且高效的功率MOSFET,K1821-01MR-VB是值得推荐的产品。

K1821-01MR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1821-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1821-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1821-01MR-VB K1821-01MR-VB数据手册

K1821-01MR-VB封装设计

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