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SI4812BDY-T1-E3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: SI4812BDY-T1-E3-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI4812BDY-T1-E3-VB

SI4812BDY-T1-E3-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款采用沟槽技术制造的低导通电阻(RDS(on))N沟道MOSFET,适用于高侧同步整流操作。广泛应用于笔记本电脑CPU核心供电及高侧开关等应用中。这款MOSFET特别设计用于提高能效和可靠性,具备100%测试和保证的特性,确保在高电流和电压条件下表现优异。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):2.0 A @ 25°C, 7.0 A @ 70°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):45 A
    - 最大耗散功率 (TC = 25°C):4.1 W
    - 热阻 (RthJA):39°C/W (最大值)
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1 μA
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.008 Ω @ VGS = 10 V, 0.011 Ω @ VGS = 4.5 V
    - 总栅极电荷 (Qg):6.8 nC @ VGS = 5 V, 23 nC @ VGS = 10 V
    - 关断延迟时间 (td(off)):16 ns
    - 上升时间 (tr):10 ns
    - 反向恢复时间 (trr):15 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):6 nC

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:满足环保要求,适用于对环境保护有较高要求的应用。
    - 高侧同步整流优化:专为高效率应用设计,适合笔记本电脑CPU核心等高要求环境。
    - 全检测试:保证每个产品均经过100%栅极电阻和雪崩能力测试,提高产品质量和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑CPU核心供电:利用其高效的同步整流功能,提高电源转换效率。
    - 高侧开关:应用于需要高频率和高电流的应用场景,如电机驱动控制。
    建议在应用过程中确保散热良好,避免长时间过载运行以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 封装:SO-8封装,便于焊接和安装。
    - 支持:提供全面的技术支持和咨询服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用适当的散热片或冷却系统。

    - 问题:电路不稳定
    - 解决方案:检查电路连接和配置,确认所有参数设置正确。

    总结和推荐


    该N沟道30-V MOSFET在笔记本电脑CPU核心供电和高侧开关等应用中表现出色,具有出色的耐温性能和高效的能量转换能力。其无卤素材料和全检测试使其成为高品质的选择。强烈推荐在高要求应用环境中使用。
    如有任何疑问或技术支持需求,欢迎联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

SI4812BDY-T1-E3-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 15V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI4812BDY-T1-E3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI4812BDY-T1-E3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI4812BDY-T1-E3-VB SI4812BDY-T1-E3-VB数据手册

SI4812BDY-T1-E3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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