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W356-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领域。
供应商型号: W356-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) W356-VB

W356-VB概述


    产品简介


    本产品是一款由台湾VBsemi公司制造的N沟道和P沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了先进的TrenchFET技术。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力及良好的热稳定性,适用于CCFL(冷阴极荧光灯)逆变器等多种应用领域。

    技术参数


    以下是根据技术手册中的规格和参数整理出的关键技术指标:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 60 V |
    | 最大漏极连续电流(ID) | N-Channel: 5.3 A |
    P-Channel: 4.9 A |
    | 漏极-源极导通电阻(RDS(on)) | N-Channel: 0.026Ω @ VGS=10V
    0.029Ω @ VGS=4.5V
    P-Channel: 0.055Ω @ VGS=-10V
    0.060Ω @ VGS=-4.5V |
    | 门极电荷(Qg) | N-Channel: 13 nC @ VDS=30V
    P-Channel: 14.5 nC @ VDS=-30V |
    | 集电极电流(IS) | N-Channel: 2.6 A @ TC=25°C |
    P-Channel: 2.8 A @ TC=25°C |
    | 最大功率耗散(PD) | N-Channel: 3.1 W @ TC=25°C
    P-Channel: 3.4 W @ TC=25°C |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET技术:提高了开关速度,降低了导通电阻。
    2. 100%测试:确保所有产品都经过了门极电阻(Rg)和雪崩击穿测试(UIS),确保质量和可靠性。
    3. 零卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,适用于无卤环保需求的应用。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种电路设计,例如逆变器中的驱动电路。对于逆变器的设计,推荐在高频情况下使用该MOSFET,以减少损耗并提高效率。同时,为了进一步优化性能,建议在设计中加入适当的散热措施,确保温度不超过最大额定值。

    兼容性和支持


    该产品为表面贴装(SO-8封装),可以轻松集成到现有的电路板设计中。VBsemi公司提供了详细的文档和技术支持,用户可以随时访问获取相关资料和解答疑问。此外,VBsemi公司还提供了一年的质保期,以保证产品质量。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET过热 | 确保良好的散热设计,必要时增加散热片 |
    | 开关频率不稳定 | 检查门极电阻(Rg)是否正确设置 |
    | 输出电流不足 | 检查输入电压是否达到要求,检查负载状况 |

    总结和推荐


    总体而言,这款N沟道和P沟道60V MOSFET在性能上表现优异,适合用于多种电子电路中。它具有高可靠性、低功耗以及优秀的热稳定性。虽然价格相对较高,但考虑到其高性能和耐用性,依然非常值得推荐使用。如果你需要一个高性能且可靠的MOSFET来满足你的电路需求,那么这款产品将是一个理想的选择。

W356-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
FET类型 N+P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W356-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

W356-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 W356-VB W356-VB数据手册

W356-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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