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ME50N04-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: ME50N04-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME50N04-VB

ME50N04-VB概述

    # ME50N04 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    ME50N04 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。它具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特点,适用于同步整流及各种电源管理应用。ME50N04 具有高效的热管理和良好的可靠性,能够在广泛的工业和消费电子产品中实现高效能电力转换。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压(VDS):40 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.2 - 2.5 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1 µA
    - 最大持续漏极电流(ID):85 A(TC = 25°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.0050 Ω @ VGS = 10 V, 0.0065 Ω @ VGS = 4.5 V
    - 阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ):-8 mV/°C
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):2380 pF @ VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容(Coss):550 pF
    - 反向传输电容(Crss):250 pF
    - 总栅电荷(Qg):80 nC
    - 门极电阻(Rg):1.3 Ω
    热参数
    - 最大结到环境的热阻(RthJA):32 °C/W
    - 最大结到外壳的热阻(RthJC):0.33 °C/W
    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):4 V
    - 栅源电压(VGS):±25 V
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320 mJ

    产品特点和优势


    ME50N04 N-Channel MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保了器件的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻:0.0050 Ω @ VGS = 10 V,降低了功耗并提高了效率。
    - 高开关速度:快速的开关时间和较低的栅电荷(Qg)使其适用于高频应用。
    - 优异的热管理:低热阻保证了在高温环境下的稳定运行。
    - 紧凑封装:TO-252 封装,便于在各种电路板上安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ME50N04 在多种电源管理应用中表现优异,如:
    - 同步整流:提高电源转换效率。
    - 电源供应器:提供高效的电力输出。
    使用建议
    - 散热管理:为了确保长期稳定运行,建议使用适当的散热片或其他散热措施。
    - 驱动设计:选择合适的栅极驱动器以降低开关损耗。
    - 布局优化:PCB 设计时,应尽量缩短栅极引线以减少杂散电感。

    兼容性和支持


    ME50N04 支持标准的 TO-252 封装,与多数 PCB 板设计兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档、样品和评估工具。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 长时间运行时发热严重
    2. 驱动电路不稳定导致异常关闭
    3. 噪音干扰问题
    解决方案
    1. 使用散热器:安装散热片或风扇,确保 MOSFET 运行在安全温度范围内。
    2. 优化驱动电路:使用低杂散电感的布线和高质量的栅极驱动器,避免信号干扰。
    3. 接地优化:确保所有电路的接地良好,避免地环路引起的干扰。

    总结和推荐


    ME50N04 N-Channel MOSFET 具备卓越的性能和可靠性,适合于各种电源管理和高频应用。其低导通电阻、高开关速度和可靠的热管理特性使其成为市场上非常具有竞争力的产品。对于需要高效电力转换的应用,强烈推荐使用 ME50N04。结合 VBsemi 提供的支持和服务,您可以轻松实现高效、可靠的电力管理解决方案。

ME50N04-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 85A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ME50N04-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME50N04-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ME50N04-VB ME50N04-VB数据手册

ME50N04-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.0997
100+ ¥ 1.9441
500+ ¥ 1.8663
2500+ ¥ 1.7886
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