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RUF020N02-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: RUF020N02-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RUF020N02-VB

RUF020N02-VB概述

    RUF020N02 N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    RUF020N02 是一款适用于便携式设备的 N 沟道 20V(漏-源)MOSFET。它的核心功能包括用于负载开关、电池开关及电机、继电器和电磁阀控制。由于其出色的热性能和低导通电阻,这款MOSFET 被广泛应用于各种便携式电子设备中。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±12V
    - 连续漏极电流 \( ID \) (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: 4A
    - TC = 70°C: 3.6A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 20A
    - 连续源漏二极管电流 \( IS \):
    - TC = 25°C: 2.3A
    - TA = 25°C: 1.3A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - TC = 25°C: 2.8W
    - TC = 70°C: 1.8W
    - 操作结温范围: -55°C 至 150°C
    - 典型规格 (TJ = 25°C)
    - 静态漏源击穿电压 \( V{DS} \): 20V
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 0.6V 至 1.3V
    - 门限电压温度系数 \( \Delta V{GS(th)}/TJ \): -3.2 mV/°C
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - VGS = 10V, ID = 3.7A: 0.036Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 3.6A: 0.040Ω
    - VGS = 2.5V, ID = 1.5A: 0.048Ω
    - 总栅电荷 \( Qg \):
    - VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 3.7A: 8.8 nC
    - VDS = 15V, VGS = 4.5V, ID = 3.7A: 4 nC

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计: 符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 高性能: 典型ESD保护可达2000V HBM,完全测试确保性能。
    - 低导通电阻: 极低的 \( R{DS(on)} \),在不同的栅源电压下表现出色,有助于降低功耗。
    - 高可靠性: 通过设计保证,不受生产测试限制。

    4. 应用案例和使用建议


    - 便携式设备: 用于电池开关和负载开关,可以有效地管理电源供应。
    - 电机、继电器和电磁阀控制: 在这些应用中,能够提供稳定的电流控制,减少干扰。
    - 使用建议:
    - 确保在脉冲状态下不要超过300μs,占空比不超过2%。
    - 使用散热器时,要注意散热片的设计,以避免长时间超负荷工作导致的可靠性问题。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种电子电路,特别是便携式设备。
    - 支持: 提供详细的技术手册和技术支持,帮助用户正确安装和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高电流情况下发热过高。
    - 解决方案: 使用散热器并确保在合理的工作条件下操作。
    - 问题2: 长时间使用后出现性能下降。
    - 解决方案: 定期检查和维护,确保符合温度和工作条件限制。

    7. 总结和推荐


    RUF020N02 是一款高效、可靠且适用于多种便携式设备应用的N沟道20V MOSFET。其低导通电阻和出色的ESD保护使其在市场上具有很高的竞争力。虽然需要关注散热问题,但只要遵循建议的操作条件,它将是一个值得信赖的选择。强烈推荐用于便携式电子设备和其他类似应用场景。

RUF020N02-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RUF020N02-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RUF020N02-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RUF020N02-VB RUF020N02-VB数据手册

RUF020N02-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
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