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2SJ540-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 2SJ540-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ540-VB

2SJ540-VB概述


    产品简介


    2SJ540-VB是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有高效率、低导通电阻和优异的热性能,适用于多种负载开关应用。由于其卓越的性能,它广泛应用于电源管理和工业控制等领域。

    技术参数


    以下是2SJ540-VB的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 门-源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):在25°C时为40A,在100°C时为30A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):可达90A
    - 持续源电流 (二极管导通):IS -30A
    - 雪崩电流 (IAS):28A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):7.2mJ
    - 最大功耗:在25°C时为60W
    - 热阻率 (RthJA):瞬态时为25°C/W,稳态时为75°C/W
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C到175°C
    - 静态参数
    - 漏-源击穿电压 (V(BR)DSS):-60V
    - 门阈值电压 (VGS(th)):-1.0V至3.0V
    - 门体泄漏 (IGSS):±100nA
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):-1μA
    - 漏极-源极导通电流 (ID(on)):-10A
    - 漏极-源极导通电阻 (rDS(on)):在VGS=-10V时为62mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):1300pF
    - 输出电容 (Coss):120pF
    - 反向转移电容 (Crss):90pF
    - 总栅极电荷 (Qg):13nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):2.3nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):3.2nC
    - 上升时间 (tr):14ns至25ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):15ns至25ns

    产品特点和优势


    2SJ540-VB的主要特点包括:
    - TrenchFET® 功率MOSFET技术:确保更高的电流处理能力和更低的导通电阻。
    - 100% UIS测试:通过严格的雪崩耐受性测试,确保可靠性。
    - 宽温度范围:-55°C到175°C的操作温度范围,使其适用于各种恶劣环境。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):典型值仅为62mΩ,这有助于提高效率和减少发热。
    - 优异的热性能:热阻率为25°C/W(瞬态)和75°C/W(稳态),能够快速散热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例:2SJ540-VB广泛应用于负载开关、电源管理等领域。例如,在直流电机控制中作为电源开关使用,以实现精确的控制和高效的转换。
    使用建议:
    - 散热设计:为了确保长期稳定运行,应考虑采用有效的散热措施,如散热片或散热风扇。
    - 驱动电路设计:合理设计驱动电路,选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。
    - 保护电路:加入过流保护和过压保护,以防止损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SJ540-VB与标准TO-220AB封装兼容,可以方便地替换其他类似封装的产品。
    - 支持:VBsemi提供详细的技术文档和支持,包括技术手册、应用指南和客户支持热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确连接MOSFET?
    解答:确保按照制造商提供的接线图进行连接,特别是源极、漏极和栅极之间的连接。避免静电放电损坏器件。
    问题2:MOSFET过热怎么办?
    解答:检查散热系统是否有效运行,必要时增加散热片或风扇。同时确保驱动电路设计合理,减少不必要的功率损耗。
    问题3:MOSFET无法正常工作怎么办?
    解答:检查输入信号是否符合要求,尤其是门极电压和驱动信号。确保负载电流在器件额定范围内。

    总结和推荐


    综上所述,2SJ540-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,具有优异的导通电阻、宽温度范围和可靠的UIS测试。它特别适合于电源管理和负载开关应用,尤其适用于需要高效、可靠和稳定性的场合。总体来说,强烈推荐使用此款MOSFET,特别是在需要高电流处理能力的应用环境中。

2SJ540-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@10V,74mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SJ540-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ540-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ540-VB 2SJ540-VB数据手册

2SJ540-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
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