处理中...

首页  >  产品百科  >  K4200LS-VB

K4200LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4200LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4200LS-VB

K4200LS-VB概述


    产品简介


    本产品为N沟道650V(漏源极)功率MOSFET,型号为K4200LS-VB。它广泛应用于电源转换、电机控制和通信系统等领域,凭借其优异的性能和稳定性,成为众多高端电子设备的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 2.5 | Ω |
    | 门极电荷(Qg(Max)) | 48 | nC |
    | 门极电荷(Qg) | 12 | nC |
    | 门极电容(Qgd) | 19 | nC |
    | 最大脉冲门极电流(ISM) | 21 | A |
    | 最大体二极管电流(IS) | 4 | A |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 3.8 | A |
    | 最大功耗(PD) | 30 | W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55到+150 | °C |
    | 最大结温(TJ) | 150 | °C |
    | 最大雪崩能量(EAS) | 325 | mJ |
    | 最大雪崩电流(IAR) | 4 | A |
    | 最大雪崩能量(EAR) | 6 | mJ |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:门极电荷较低,降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 坚固耐用:改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐用性,提升了可靠性。
    - 完全表征:漏源电压和雪崩电压及电流均经过全面测试和表征。
    - 符合RoHS标准:该产品符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。

    应用案例和使用建议


    K4200LS-VB MOSFET适用于多种工业应用场景,如电源转换、电机控制、通信系统等。在实际应用中,应根据具体的设计需求合理选择MOSFET的工作参数,如门极电压和电流限制。为了确保最佳性能,建议采用适当的散热措施并遵循制造商的焊接指南。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K4200LS-VB MOSFET可与其他常见的电子元件和设备兼容,提供广泛的适用性。
    - 技术支持:VBsemi提供详细的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的门极电压会导致MOSFET损坏。
    解决方案:确保门极电压不超过30V,并遵循电路设计的最佳实践。
    2. 问题:MOSFET在高温环境下表现不稳定。
    解决方案:在实际应用中采取有效的散热措施,确保工作温度不超过150°C。
    3. 问题:在高速开关操作中,MOSFET出现过热现象。
    解决方案:采用更大容量的散热器或增加散热片,提高散热效率。

    总结和推荐


    K4200LS-VB MOSFET凭借其低门极电荷、高可靠性和良好的兼容性,成为众多应用领域的理想选择。它的出色性能和稳定性使其在市场上具有较高的竞争力。综合来看,我们强烈推荐K4200LS-VB MOSFET作为高性能电子设备的关键组件。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

K4200LS-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4200LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4200LS-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4200LS-VB K4200LS-VB数据手册

K4200LS-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504