处理中...

首页  >  产品百科  >  K3610-01-VB

K3610-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K3610-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3610-01-VB

K3610-01-VB概述

    K3610-01-VB 功率 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3610-01-VB 是一款 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关控制等领域。它具备快速开关能力,能够处理高动态电压变化(dV/dt)和重复雪崩,适合各种严苛的应用环境。

    技术参数


    - 关键特性
    - 动态dV/dt额定值:适用于高频率切换环境。
    - 重复雪崩额定值:具备出色的耐受能力,适用于反复高压冲击。
    - 快速开关:减少开关损耗,提高效率。
    - 易于并联:方便设计多管并联以提高电流承载能力。
    - 简单的驱动需求:降低了对驱动电路的要求。
    - 技术规格
    - 漏源电压(VDS):250 V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 零门源电压漏极电流(IDSS):≤ 25 μA
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10 V时为0.079 Ω
    - 输入电容(Ciss):≤ 1300 pF
    - 输出电容(Coss):≤ 330 pF
    - 反向转移电容(Crss):≤ 85 pF
    - 总门电荷(Qg):≤ 68 nC
    - 最大功率耗散(PD):125 W

    产品特点和优势


    K3610-01-VB 的优势在于其卓越的耐压能力和重复雪崩耐受能力,使它能在极端环境中保持稳定工作。其快速开关特性和简单驱动要求使得在设计高效率电源系统时非常便利。此外,其易并联特性便于扩展电流承载能力。

    应用案例和使用建议


    K3610-01-VB 在电源转换器、电机驱动、逆变器和其他高功率密度应用中表现优异。例如,在一个电机驱动项目中,这款 MOSFET 可以有效地管理电机启动和运行过程中的高瞬态电流。
    使用建议:
    - 确保驱动电路设计正确,以充分利用快速开关特性。
    - 注意散热设计,确保在高温环境下稳定运行。
    - 验证 MOSFET 与系统其他组件的兼容性,确保整体设计可靠性。

    兼容性和支持


    K3610-01-VB 支持多种标准封装形式,如 TO-220AB,具有良好的兼容性。制造商提供详细的文档和技术支持,帮助客户解决安装和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 温度过高,无法稳定工作。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,选择合适的散热片,并保证 MOSFET 安装位置通风良好。

    2. 问题:MOSFET 导通电阻增加,性能下降。
    - 解决方案:检查焊接质量和连接线路,确认 MOSFET 未受损且驱动电路配置正确。

    总结和推荐


    综上所述,K3610-01-VB 在高功率应用中表现出色,具备出色的耐压能力和快速开关特性。虽然初期成本较高,但其优异的性能和可靠性使其成为众多高要求应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用这款 MOSFET。

K3610-01-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 250V
Id-连续漏极电流 12A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3610-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3610-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3610-01-VB K3610-01-VB数据手册

K3610-01-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504