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K1159-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: K1159-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1159-VB

K1159-VB概述

    K1159-VB Power MOSFET 技术手册



    产品简介




    基本介绍

    K1159-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品以其低导通电阻(RDS(on))和高效率而闻名,在电源管理和控制应用中表现出色。K1159-VB 的主要功能包括低损耗、快速开关能力和良好的热稳定性,使其广泛应用于服务器、通信电源系统、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)等领域。


    技术参数




    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | --- | --- | --- | --- |
    | 漏源电压 VDS | 650 | - | V |
    | 栅源电压 VGS | ±30 | - | V |
    | 持续漏极电流 ID (TJ=150°C) | 186 | - | A |
    | 瞬态漏极电流 IDM | 75 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 250 | - | mJ |
    | 最大功耗 PD | 186 | - | W |
    | 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg | -55 to +150 | °C |
    | 热阻 RthJA | - | 63 | °C/W |
    | 热阻 RthJC | - | 0.6 | °C/W |
    | 导通电阻 RDS(on) (VGS=10V) | - | 0.50 | Ω |


    产品特点和优势




    - 低导通电阻(RDS(on)):K1159-VB 的导通电阻非常低,使得其在导通状态下的功率损耗显著减少。
    - 低输入电容(Ciss):这有助于降低驱动功率和开关损耗。
    - 低栅电荷(Qg):快速开关和低驱动损耗,进一步提高了能效。
    - 重复脉冲雪崩能量评级(UIS):保证了在高动态条件下稳定可靠的运行。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    - 服务器和电信电源:这些系统需要高效、稳定的电源管理解决方案。K1159-VB 在这些应用中表现出色。
    - 工业设备:在各种工业环境中,该MOSFET能够提供高性能和可靠性。
    - 照明系统:K1159-VB 适用于包括高强度放电灯和荧光灯在内的照明系统,保证了高效能和长期可靠性。

    使用建议

    - 散热设计:由于该MOSFET具有较高的热阻,合理的散热设计是必要的,以确保其长期可靠运行。
    - 驱动电路:使用合适的栅极驱动电路,可以最大限度地减少栅极充电时间,提高整体效率。
    - 布线考虑:布局时应注意减少寄生电感和泄漏电感,以提升系统性能。


    兼容性和支持




    K1159-VB 与其他标准组件兼容,如TO-220封装的其他MOSFET产品。制造商提供了详细的技术文档和客户支持,确保用户在设计和应用过程中获得最佳体验。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:通常建议使用10V的栅极驱动电压,这可以在保持低导通电阻的同时,避免过高的栅极电流导致损坏。

    2. 问题:MOSFET的发热问题如何处理?
    - 解决方案:使用适当的散热器并合理设计散热路径,如采用铜散热片或增加散热面积。


    总结和推荐




    综合评估

    K1159-VB Power MOSFET 在多个关键参数上表现出色,特别是在低导通电阻和高效开关方面。其广泛的应用领域和高可靠性使它成为众多电源管理和控制系统的理想选择。

    推荐使用

    强烈推荐K1159-VB Power MOSFET,尤其是在要求高效能和高可靠性的应用场景中。通过合理的设计和使用,用户可以充分利用其技术优势,实现最优的系统性能。

K1159-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1159-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1159-VB数据手册

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K1159-VB封装设计

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