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KHB4D5N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KHB4D5N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB4D5N60F-VB

KHB4D5N60F-VB概述

    KHB4D5N60F N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KHB4D5N60F 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道650V(漏源电压)功率MOSFET。这种器件主要用于高电压转换和电流控制的应用场合。其主要功能包括低门极电荷(Qg)、增强的门极耐受性、雪崩耐受性以及动态dv/dt耐受性。广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高压控制的应用中。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 门源电压 (VGS):±30V
    - 最大连续漏极电流 (TC = 25 °C):3.8A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):18A
    - 功率耗散 (TC = 25 °C):30W
    - 最大重复雪崩能量 (EAS):325mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR):4A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):6mJ
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):2.1°C/W
    - 输入电容 (Ciss):1080pF (VGS = 0V, VDS = 25V)
    - 输出电容 (Coss):177pF (VGS = 0V)
    - 反向转移电容 (Crss):7.0pF
    - 开态电阻 (RDS(on)):2.5Ω (VGS = 10V)

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:低Qg值使得驱动简单且效率高。
    - 增强的耐用性:改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐用性。
    - 完全额定:容量和雪崩电压、电流完全额定。
    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC,符合无卤素标准JEDEC JS709A。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:适合用于高压转换器和开关电源。
    - 电机驱动:适用于电机驱动器和工业控制系统。
    - 逆变器:可用于光伏逆变器和其他电力转换设备。
    - 使用建议:确保电路设计中存在低杂散电感、接地平面和低泄漏电感电流变压器。对于门极驱动,建议使用相同的设备进行测试以确保一致性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他电子元件高度兼容,特别适用于高电压系统。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括在线文档、用户指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最大功率耗散?
    - 解决方案:查看技术手册中的图表,确定最大结温(Tj),然后根据最大结到环境热阻(RthJA)计算出最大功率耗散。
    - 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:参考技术手册中的门极电荷曲线和开关时间测试电路,选择合适的RG值以优化开关性能。


    总结和推荐


    KHB4D5N60F是一款高效、耐用且符合环保标准的N沟道650V功率MOSFET,适用于多种高电压应用场合。其独特的特性和强大的市场竞争力使其成为电源管理和电机控制系统的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,并相信它将在各种高要求应用中表现出色。

KHB4D5N60F-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB4D5N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB4D5N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB4D5N60F-VB KHB4D5N60F-VB数据手册

KHB4D5N60F-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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