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SSM3J312T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: SSM3J312T-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SSM3J312T-VB

SSM3J312T-VB概述


    产品简介


    SSM3J312T P-Channel MOSFET
    SSM3J312T 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,主要用于开关电源、负载开关及直流-直流转换器等领域。该产品具有高效率和紧凑的封装设计,能够满足现代电子产品对高性能、低功耗的需求。

    技术参数


    - 工作电压(VDS): -20V
    - 漏极电流(ID):
    - 持续:-5A(TC=25°C),-4.8A(TC=70°C)
    - 脉冲:-18A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=-10V, ID=-5.1A 时为 0.035Ω
    - VGS=-4.5V, ID=-4.5A 时为 0.043Ω
    - VGS=-2.5V, ID=-3.7A 时为 0.061Ω
    - 栅源电荷(Qg):
    - VDS=-10V, VGS=-4.5V, ID=-5.1A 时为 10nC
    - VDS=-10V, VGS=-2.5V, ID=-5.1A 时为 6.4nC
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC=25°C 时为 2.5W
    - TC=70°C 时为 1.6W
    - 热阻(RthJA): 最大 100°C/W

    产品特点和优势


    - 高效能: 具有低导通电阻(RDS(on))和高效的栅源电荷(Qg),确保高效率运行。
    - 可靠性高: 通过 100% Rg 测试,确保在各种恶劣条件下稳定工作。
    - 环境友好: 符合 RoHS 指令和卤素自由标准,适用于环保要求较高的应用场合。
    - 紧凑设计: 采用 SOT-23 封装,适合空间受限的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关: 由于其较低的导通电阻,可以显著降低电路中的损耗。
    - PA 开关: 在射频电路中作为功率放大器的开关元件,提升整体性能。
    - DC/DC 转换器: 高效的开关能力使得它在电压转换过程中表现出色。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,应注意栅极驱动电压的选择,以保证足够的栅极电荷(Qg)来实现快速开关。
    - 为了提高散热效果,建议增加散热片或其他冷却措施,尤其是在大电流工作状态下。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品支持常见的直流电源系统和各种射频电路,与多种不同的电子设备兼容。
    - 支持和服务: 厂商提供技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过热问题
    - 解决方案: 增加散热片或采用其他散热措施。
    - 问题: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 确保栅极驱动信号的稳定性和合适的驱动电阻。
    - 问题: 导通电阻过高
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否符合要求,必要时调整栅极电阻。

    总结和推荐


    SSM3J312T 是一款出色的 P 沟道 MOSFET,适用于多种应用场景。其高效率、可靠性和紧凑的设计使其成为市场上的热门选择。对于需要高效开关能力和良好散热性能的应用,强烈推荐使用此产品。

SSM3J312T-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SSM3J312T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SSM3J312T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SSM3J312T-VB SSM3J312T-VB数据手册

SSM3J312T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.207
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型号 价格(含增值税)
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