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UPA2728GR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UPA2728GR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA2728GR-VB

UPA2728GR-VB概述

    UPA2728GR N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA2728GR 是一款高性能的 N 沟道 30-V (D-S) 功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术制造。这款 MOSFET 特别适用于笔记本电脑 CPU 内核的高侧同步整流器操作。其主要特点是无卤素,且全部经过 100% Rg 和 UIS 测试,确保了卓越的可靠性和稳定性。此外,UPA2728GR 在众多应用中表现出色,如高侧开关、直流电源管理等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:13 A
    - TC = 70 °C:7 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):45 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):20 A
    - 雪崩能量 (EAS):21 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):4.1 W
    - 绝对最大额定值
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 150 °C
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):39 °C/W
    - 最大结到引脚(漏极)稳态热阻 (RthJF):25 °C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0 - 3.0 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):1 µA
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):800 pF
    - 输出电容 (Coss):165 pF
    - 反向传输电容 (Crss):73 pF
    - 总栅电荷 (Qg):15 - 23 nC

    产品特点和优势


    - 环保材料:采用无卤素材料制造,符合环保标准。
    - 高效能:经过 100% Rg 和 UIS 测试,确保了在高电流条件下的稳定性和可靠性。
    - 优化设计:特别优化用于高侧同步整流器操作,适用于笔记本 CPU 内核等关键应用。
    - 卓越的热性能:具有较低的热阻,能够在高温环境下保持良好的工作状态。

    应用案例和使用建议


    UPA2728GR 主要应用于笔记本电脑 CPU 内核的高侧开关和直流电源管理系统。例如,在笔记本电脑电源管理系统中,UPA2728GR 可以有效地实现高效率的能量转换和电源管理。
    - 使用建议
    - 在高电流应用中,确保散热良好,避免因过热导致器件损坏。
    - 配合高效的 PCB 设计,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 定期检查和维护,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    UPA2728GR 采用标准 SO-8 封装,易于与其他电子元器件集成。厂商提供全面的技术支持,包括详细的技术手册、应用指南和售后服务。如有需要,可通过服务热线 400-655-8788 获得更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:UPA2728GR 在高温下表现不稳定?
    - 解决办法:增加散热片,改善散热效果。确保工作环境温度不超过最大额定值。
    - 问题:栅极电压过高导致器件损坏?
    - 解决办法:确保 VGS 不超过 20 V 的限制,使用合适的驱动电路保护栅极。
    - 问题:功率耗散过大?
    - 解决办法:增加散热措施,如增加散热片或风扇,降低工作环境温度。

    总结和推荐


    UPA2728GR 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电流应用场合。其无卤素、优化设计和卓越的热性能使其成为市场的优秀选择。如果您需要一个可靠、高效的 MOSFET 来提高您的电子系统的性能,UPA2728GR 绝对是您的不二之选。

UPA2728GR-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11A
Vgs-栅源极电压 15V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2728GR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA2728GR-VB数据手册

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UPA2728GR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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4000+ ¥ 0.9929
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