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RQJ0304DQDQATL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: RQJ0304DQDQATL-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RQJ0304DQDQATL-E-VB

RQJ0304DQDQATL-E-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本产品是一款 P 沟道 30V(D-S)MOSFET,采用了 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。它具有低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电子应用领域,特别是移动计算领域。其典型应用场景包括负载开关、笔记本适配器开关及直流/直流转换器等。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 30V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):
    - TC = 25°C 时:5.6A
    - TC = 70°C 时:5.1A
    - TA = 25°C 时:5.4A(稳态条件)
    - TA = 70°C 时:4.3A(稳态条件)
    - 脉冲漏极电流(t=100μs): 18A
    - 连续源漏二极管电流(TC=25°C): 2.1A
    - 最大功耗(TC=25°C): 2.5W
    - 最大结温: -55°C 到 150°C
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻(t ≤ 5 s): 75-100°C/W
    - 最大结至引脚(漏极)热阻(稳态): 40-50°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:提供卓越的性能和更高的功率密度。
    2. 100% Rg 测试:确保产品的可靠性和一致性。
    3. 宽工作温度范围:可在极端温度条件下稳定运行。
    4. 低导通电阻:在不同的栅极电压下,导通电阻分别为 0.046Ω(VGS=-10V)、0.049Ω(VGS=-6V)、0.054Ω(VGS=-4.5V)。
    5. 快速开关特性:在特定条件下,导通延迟时间(td(on))和关断延迟时间(td(off))均小于 57ns。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 在移动计算设备中有着广泛的应用。例如,在笔记本电脑中作为负载开关,可以有效地调节电路中的电压和电流。建议在使用时确保散热良好,特别是在高负载条件下。对于需要高精度控制的应用,可以通过调整栅极电压来优化性能。

    兼容性和支持


    此产品可与各种标准 SOT-23 封装的电路板兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决在应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中发热严重。
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,如增加散热片或使用散热膏。
    2. 问题: 导通电阻异常增大。
    - 解决办法: 检查栅极电压是否符合要求,确保 VGS 在规定的范围内。
    3. 问题: 开关速度不理想。
    - 解决办法: 检查电源电压和负载条件,优化外部电路设计,如调整栅极电阻值。

    总结和推荐


    综上所述,这款 P 沟道 30V MOSFET 是一款高性能的电子元件,具备出色的耐热性能和低导通电阻。特别适合在移动计算设备中作为关键的功率管理器件。建议在选择使用时充分考虑其应用需求和工作环境,确保获得最佳性能。总体而言,这是一款值得推荐的产品。

RQJ0304DQDQATL-E-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RQJ0304DQDQATL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RQJ0304DQDQATL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RQJ0304DQDQATL-E-VB RQJ0304DQDQATL-E-VB数据手册

RQJ0304DQDQATL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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