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K4069-ZK-E2-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K4069-ZK-E2-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4069-ZK-E2-AY-VB

K4069-ZK-E2-AY-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET(场效应晶体管),属于TrenchFET®系列。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,特别适用于服务器、OR-ing等高可靠性要求的应用场景。其高集成度和卓越的热性能使其成为电源管理、电机控制等领域不可或缺的元件。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C)
    - TC = 25 °C:8 A
    - TC = 70 °C:1 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8 mJ
    - 持续源极-漏极二极管电流(IS):50 A
    - 最大功耗(PD)
    - TC = 25 °C:100 W
    - TC = 70 °C:75 W
    - TA = 25 °C:3.25 W
    - TA = 70 °C:2.33 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 到 175 °C
    热阻额定值
    - 最大结到环境的热阻(RthJA)
    - 最小值:32 °C/W
    - 最大值:40 °C/W
    - 最大结到外壳稳态热阻(RthJC)
    - 最小值:0.5 °C/W
    - 最大值:0.6 °C/W
    静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.5 V 至 2.0 V
    - 开启状态漏极电流(ID(on)):90 A
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on))
    - VGS = 10 V, ID = 21.8 A:0.007 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 18 A:0.009 Ω
    - 前向跨导(gfs):160 S
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):2201 pF
    - 输出电容(Coss):525 pF
    - 反向转移电容(Crss):370 pF
    - 总栅极电荷(Qg)
    - VGS = 10 V, ID = 21.8 A:35 nC
    - VGS = 4.5 V, ID = 21.8 A:25 nC

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:该器件采用先进的沟槽栅技术,显著降低导通电阻和提高开关速度。
    - 高可靠性和稳定性:100% Rg和UIS测试确保了产品的高可靠性,能够在恶劣环境中稳定工作。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,保证环保合规。
    - 高电流能力:最大连续漏极电流为8 A,脉冲电流高达200 A,适用于多种高电流应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器:利用其低导通电阻和高电流能力,提供高效的电力管理和散热解决方案。
    - OR-ing:适用于电源冗余系统,能够快速响应故障情况并保持系统的正常运行。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到其较高的功耗,建议采用适当的散热措施,如增加散热片或使用散热膏以提高热传导效率。
    - 电路布局:在PCB设计时,合理规划走线以减少寄生电感,提高电路的整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他常见的30V MOSFET兼容,易于替换和升级。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南和应用笔记,帮助客户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:启动延迟时间较长
    - 解决方案:检查栅极电阻值(Rg),适当减小Rg可以缩短启动延迟时间。
    - 问题:散热不良导致过热
    - 解决方案:增加散热器或优化散热路径,确保良好的散热效果。

    总结和推荐


    总体来看,这款N沟道30V MOSFET凭借其优秀的性能和可靠的稳定性,非常适合应用于服务器、OR-ing等需要高可靠性及高效能的应用场景。其先进的制造技术和严格的测试流程,使得该产品在市场上具有很强的竞争优势。因此,强烈推荐给寻求高性能、高可靠性的客户选用。

K4069-ZK-E2-AY-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4069-ZK-E2-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4069-ZK-E2-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4069-ZK-E2-AY-VB K4069-ZK-E2-AY-VB数据手册

K4069-ZK-E2-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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起订量: 20 增量: 2500
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