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UPA2718GR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: UPA2718GR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA2718GR-VB

UPA2718GR-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET UPA2718GR 技术手册

    1. 产品简介


    基本信息
    - 产品名称: P-Channel 30-V MOSFET(P沟道30V MOSFET)
    - 产品型号: UPA2718GR
    - 主要功能:
    - 用于负载开关应用,尤其适用于笔记本电脑和平板电脑
    - 具有高效率和低导通电阻(RDS(on))
    - 应用领域:
    - 笔记本电脑和平板电脑
    - 桌面电脑及其他需要负载开关的应用

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): -30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: -11.6 A
    - TC = 70°C: -10.5 A
    - TA = 25°C: -8.7 A
    - TA = 70°C: -7.7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -40 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 5.6 W
    - 最高工作结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    额定工作条件
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): -30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -1.0 V 至 -3.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): -1 µA
    - 导通漏极电流 (ID(on)): -30 A
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -10 A: 0.011 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -7 A: 0.012 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 1960 pF
    - 输出电容 (Coss): 380 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 325 pF

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:
    - 所有器件经过100%的Rg测试和UIS测试,确保可靠性和稳定性。
    - 高效能:
    - 导通电阻低,有助于提高系统整体效率。
    - 低热阻:
    - 最大结点到外壳热阻为18°C/W,保证器件能够在高温环境下稳定运行。
    - 环保材料:
    - 符合IEC 61249-2-21标准,无卤素,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑: UPA2718GR 被广泛应用于笔记本电脑的电源管理系统,用于控制各种电源路径,如电池充电和供电切换。
    - 桌面电脑: 在桌面电脑中,该器件可用于CPU和GPU的电源管理,提高系统的稳定性和效率。
    使用建议
    - 散热设计:
    - 在使用过程中,注意良好的散热设计,尤其是在高功率应用场合,以防止过热。
    - 栅极驱动电阻:
    - 适当选择栅极驱动电阻,以避免过高或过低的驱动信号影响器件的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - UPA2718GR 采用标准的SO-8封装,便于在多种电路板上安装,与大多数SMD工艺兼容。
    - 厂商支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术培训,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确保栅极驱动信号的强度足够,并适当调整栅极电阻,确保正确的开关时间。
    - 问题2: 工作温度过高。
    - 解决方案: 改善散热设计,例如增加散热片或者使用更好的散热材料,降低器件的工作温度。
    - 问题3: 漏电流过大。
    - 解决方案: 检查电路布局和连接,确保没有短路或者接触不良的情况。

    7. 总结和推荐


    UPA2718GR 是一款高性能的P沟道30V MOSFET,适用于笔记本电脑、平板电脑及桌面电脑等多种应用场景。其低导通电阻、高可靠性及绿色环保等特点使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效负载开关的系统,UPA2718GR是一个理想的选择。
    综上所述,强烈推荐使用UPA2718GR,特别是对于要求高效率和稳定性的应用场合。

UPA2718GR-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 11A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.42V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2718GR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA2718GR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA2718GR-VB UPA2718GR-VB数据手册

UPA2718GR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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